原标题：有色｜砷化镓：自主可控驱动，行业迎来快速增长

砷化镓半导体分为半绝缘型和半导体型，半绝缘型用于射频芯片，半导体型用于LED、光电子领域。未来手机PA芯片、光电子、LED将带动砷化镓需求快速升高。在半导体产业链自主可控趋势下，预计国内上游核心原材料公司将受益，重点推荐拥有技术优势和高端衬底产能的云南锗业，推荐关注有研新材；下游元件推荐已经布局高端射频和光电领域的三安光电。

砷化镓半导体产业链各环节寡头垄断明显。

砷化镓产业链上，各环节的CR2都大于50%，单晶衬底、外延片、晶圆代工的CR3甚至接近90%。整个产业链呈现明显的寡头垄断格局。尤其是上游砷化镓衬底生产环节，90%以上的半绝缘型高端衬底被国外厂家垄断。我国亟需在砷化镓产业链上培育具有竞争力的公司。

预计2023年国内砷化镓元件市场规模超过600亿元，5年CAGR为44%。

近年来国家主推半导体产业自主可控。我们预计未来射频、光电子等高端砷化镓元件市场会向国内转移，未来国内砷化镓元件占全球比例逐年上升。2023年砷化镓元件市场规模有望从2018年的100亿元上升至628亿元，5年CAGR为44%。

预计2023年国内上游砷化镓衬底市场规模达到24.6亿元，5年CAGR高达43%。

2018年国内砷化镓衬底市场规模仅为4.1亿元，国产衬底主要应用在低端LED领域。随着未来国家推进半导体产业链上游核心原材料自主可控的进程将步加码，预计2023年国内砷化镓衬底市场规模快速上升至24.6亿元，5年CAGR为43%。

未来砷化镓行业利润预计将主要由高端芯片和衬底厂商获得。

我们测算，2023年国内砷化镓元件行业利润合计达到190亿元，其中光电器件、射频器件合计150亿元，占比接近80%。上游衬底方面，预计2023年国内砷化镓衬底行业利润为5.9亿元，其中仅射频用衬底利润就达到4.1亿元，占比高达70%。可以看出，国内砷化镓行业快速发展，将为拥有技术优势、能够生产高端产品的公司带来丰厚利润空间。

风险因素：

芯片工艺被替代，砷化镓衬底需求不及预期，芯片国产化进程受阻。

投资策略：

随着国内对半导体产业链上各环节自主可控诉求日趋强烈，预计国内砷化镓元件和衬底市场规模增速均显著高于全球，且产品高端化带来行业盈利能力增强，首次覆盖砷化镓半导体行业并给予“强于大市”评级。上游衬底环节重点推荐拥有技术优势、6寸高端砷化镓衬底产能充足的云南锗业，推荐关注有研新材。下游元件环节推荐传统LED龙头，已经布局高端射频和光电领域的三安光电。