【英国研发新一代革命性内存：10ns延迟、功耗仅有1%】《科创板日报》19日讯，日前外媒报道称，英国的研究人员找到了一种新型的“内存”，它使用的是III-V族材料，主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝，用这些材料制成的NVDRAM非易失性内存具备优秀的特性，在同样的性能下开关能量低了100倍，也就是说功耗只有现有DRAM内存的1%，同时延迟可低至10ns。