《科创板日报》 （上海，记者 吴凡）讯，1月25日，江苏证监局披露了苏州东微半导体股份有限公司（下称“东微半导体”）的辅导中期备案报告，公司确定将前往科创板上市，中金公司担任辅导机构。

东微半导体成立于2008年，是一家国产功率半导体厂商，其产品有高压GreenMOS系列、中低压SGTMOS系列以及IGBT，产品应用领域主要包括：快速充电器、充电桩应用、开关电源、直流电机驱动、光伏逆变器等。

值得注意得是，在快速充电器市场，随着消费者对功率密度要求与日俱增，氮化镓（GaN）充电器凭借着其功率大、体积小、效率高的特点，逐渐步入人们的视线之中。而在2020年2月，小米在发布会上展示的65W GaN充电器，更是让GaN备受瞩目。

西南证券指出，由于技术、良率等问题，（GaN产品）价格相对昂贵。随着 GaN 技术的革新升级，性能及成本优势加持下，GaN 未来有望成为主流快充技术。

《科创板日报》记者注意到，东微半导体的产品同样可应用于快充领域，但公司确并非选用GaN材料，而是采用公司自主研发的超级硅系列MOSFEST。公司在官网上宣传称，实现同样功率密度和体积，超级硅系列具有更低的成本、更简易的设备、更高的可靠性等。

进一步来看，GaN的特点之一是开关频率高，开关频率是指充电头内部晶闸管,可控硅等电子元件,每秒可以完全导通、断开的次数。开关频率高可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电头的体积和重量。

比如目前逆变器运行电压高达1000V，开关频率高达20kHz，普通的硅基IGBT、MOSFET很难满足这样的运行要求。而东微半导体官网发布的文章显示，其超级硅系列高压MOS管OSS65R340JF，在更高频率400KHz条件下效率依然与GaN功率器件保持一致。

在功率密度上，上述文章显示，以65W的PD为例，基于东微超级硅系列的MOS做的Demo方案, 最大功率密度可达1.38W/cm²，与之相比，小米10Gan快充最高功率密度为1.217W/cm²。

而在成本方面，东微半导体提到，其器件成本大概为同等规格GaN器件25-50%。

《科创板日报》记者梳理发现，除了东微半导体外，配件厂商倍思也推出过超级硅快充充电器，输出功率20W，可适配苹果PD 20W快充。

除超级硅系列MOSFEST产品外，在充电桩应用领域，东微半导体是国内最早开始替换进口器件应用于直流充电桩的公司，官网显示，其GreenMOS系列产品从2015年上市至2019年底，累计出货超600万颗，是国内直流充电桩核心功率器件第一大供应商。

值得注意的是，公司对充电桩应用页面介绍的背景图片显示的是一辆特斯拉汽车，这是否意味着公司的产品已进入特斯拉充电桩供应链之中？记者在今日也尝试联系东微半导体董秘办，但未获正面回应。这尚待公司后续在招股书中进一步的披露。

在股权结构方面，2020年12月，国策投资、智禹东微、丰辉投资、中新创投及上海烨旻合计向东微半导体增资1.55亿元，认购东微半导体新增股份295.0093 万股。

上述增资事项完成后，公司董事王鹏飞个人持股16.0872%，为公司第一大股东，董事长龚轶持股13.2791%，为第三大股东。

机构股东中，元禾控股旗下的原点投资持股15.1834%，为第二大股东；国家大基金旗下的上海聚源聚芯和华为旗下的哈勃投资分别持股9.9512%和6.5913%，位列第四和第六大股东；中小企业发展基金（深圳有限合伙）持股4.9756%，为公司第7大股东。