【SK海力士在相变存储器取得技术进展】《科创板日报》4日讯，据韩媒报道，SK海力士宣布在下一代相变存储器（PRAM）中采用PUC技术。PRAM结合了DRAM和NAND Flash的优势。SK海力士团队负责人Lee Hyung-dong表示，该公司已在其PRAM中应用了PUC和一种指定的算法，使产品在性能和成本上具有竞争力。PRAM可用于数据中心和神经形态计算。