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2021年03月03 17:14:43
【上海临港新片区:推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设】财联社3月3日讯,上海临港新片区发布集成电路产业专项规划(2021-2025)。规划提出,积极对接引进国内最先进工艺线放大项目,推进磁存储器(MRAM)、3DNAND、半浮栅等新型存储项目落地,提升新片区芯片制造产业能级,夯实产业基础。打造国内特色工艺生产高地,坚持市场需求与技术开发相结合,推动BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工艺研发与产业化,支持细分领域IDM项目建设。推动化合物半导体产业实现由国内引领向国际领先跨越。推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设,面向5G、新能源汽车等应用场景,加快化合物半导体产品验证应用。
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