《科创板日报》（上海，记者 吴凡）讯，工商资料显示，聚力成半导体（上海）有限公司（下称“聚力成”）今日（7月25日）披露了一项股权融资，投资方包括海南云锋基金中心（有限合伙）、中金公司全资子公司中金浦成、嘉力丰正投资、上海烁昕以及九泽投资，不过，投资金额未披露。

《科创板日报》记者注意到，聚力成也在近日对工商信息进行了更新，其注册资本金由2.2356亿元，变更为2.3845亿元。目前云锋基金持有聚力成2.26963%的股权、中金浦成持股0.56741%。

据了解，聚力成是由重庆捷舜科技有限公司（下称“重庆捷舜”）投资设立。2018年9月，重庆大足区人民政府与重庆捷舜正式签约聚力成外延片和芯片产线项目，该项目以研发、生产第三代半导体氮化镓（GaN）外延片、芯片为主。

GaN产业链包括上游的材料（衬底和外延）、中游的器件和模组、下游的系统和应用。

其中，在上游的材料环节，衬底是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。而外延片是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。

方正证券在研报中指出，目前市场上GaN晶体管主流的衬底材料为蓝宝石、SiC和Si，GaN衬底由于工艺、成本问题尚未得到大规模商用。前述三种衬底材料中，蓝宝石衬底一般用于制造蓝光LED，也是GaN最初使用的衬底材料，而新兴的两种衬底则是Si和SiC，前者用于功率器件居多，后者一般用于射频器件。

创道投资咨询执行董事步日欣向《科创板日报》记者表示，硅基GaN和碳化硅基GaN各有优势，硅基GaN具有成本优势，碳化硅基GaN具有性能优势，未来也会结合各自优势在不同领域发挥作用，比如价格较为敏感的消费电子领域会优选硅基GaN，碳化硅基GaN可能会主流应用于可靠性要求高的工业、通信、军事等领域

而对于外延片在产业链中的重要性，太平洋证券在研报中称，外延片在硅基GaN功率产品的总体成本中占比大约35%以上，是产业链的价值核心。

聚力成官网显示，在电力电子领域，公司具备开发6英寸650V/100V硅基GaN外延片技术能力，实现650V/15A硅基GaN功率器件的生产工艺；在微波射频领域，聚力成同样具有研发碳化硅基GaN外延材料的技术能力。

产能布局方面，官网显示，聚力成于重庆市大足区建设第一期硅基GaN外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段，整个项目计划建成年产能12万片的GaN外延片产线和年产能36万片的GaN芯片生产和封测产线，总投资约50亿人民币。

《科创板日报》记者了解到，得益于自身的突出特性，GaN在射频器件、功率器件等领域都表现出较强的渗透能力。

在射频器件方面，5G为射频主战场带来重大机遇。据Yole预测，2017年通信领域RF用GaN市场规模为1.5亿美元，到2023年，GaN市场率将超过20%，叠加5G基站的快速起量，市场规模会增长到5.6亿美元。

而在功率器件领域，由于SiC衬底价格比较昂贵，目前大多数GaN功率器件均采用Si衬底，太平洋证券在研报中称，以2021年442亿美元的功率器件市场来看，GaN功率器件的潜在市场规模约300亿美元。

据方正证券统计，国内的GaN外延片厂商有聚力成、苏州晶湛、弘光向尚、能讯高能等。据重庆当地媒体2020年11月援引聚力成相关负责人报道称，“目前，我们已开通三条生产线，一年将生产出1.8万片外延片，在理论上，年产值将达到1.2亿元”。

上述负责人称，聚力成还将继续扩大在重庆大足区的投资，拟扩展6条外延片产线，力争2021年生产硅基GaN外延片3万片。

值得注意的是，碳化硅衬底厂商山东天岳、碳化硅外延片厂商天域科技半导体公司均获得外部投资。

对于当前第三代半导体的投资，步日欣认为，不同于硅半导体工艺，在化合物半导体领域，外延工艺是非常重要的核心环节之一，巨头布局外延厂商，也正是看重该环节在产业链上的关键地位。