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HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠
《科创板日报》16日讯,SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。台积电将负责基础芯片前端工艺(FEOL)、后续布线工艺(BEOL)等,晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责,后续制程将由SK海力士处理。业界预测,SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。
20小时前 6.03W+
财联社5月15日电,芯片半导体板块异动拉升,HBM方向领涨,蓝箭电子、通富微电冲击涨停,文一科技、华海诚科、晶方科技、亚威股份等涨幅靠前。近日,两家全球最大的存储芯片供应商——SK海力士和美光都已经表示,2024年的高带宽存储芯片(HBM)已经售罄,而2025年的库存也几乎售罄。不少分析师警告称,在人工智能的爆炸性需求影响下,高带宽存储芯片(HBM)的供应短缺情况可能将持续今年一整年。
05月15日 09:58 7.47W+
财联社5月14日电,分析师警告称,高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面,因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。
05月14日 15:17 6.89W+
《科创板日报》14日讯,SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示,这家企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。Kim Kwi Wook预计,HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%,同时能效也提高30%。在谈到对键合技术路线的看法时,这位研究人员称混合键合仍面临良率不佳的问题,SK海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。 (The Elec)
05月14日 14:26 来自 The Elec7.21W+
《科创板日报》14日讯,三星和SK海力士预测,由于AI相关芯片需求不断增长,今年DRAM和HBM价格将保持坚挺;为了满足需求,他们将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线。SK海力士HBM芯片今年已售罄,2025年也几乎售罄;三星HBM产品也已售罄。
05月14日 14:08 7W+
《科创板日报》14日讯,SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示,当前业界HBM技术已经到了新的水平,行业需求促使SK海力士将加速开发过程,最早在2026年推出HBM4E内存,相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。 (chosenbiz)
05月14日 08:37 来自 chosenbiz7.5W+
《科创板日报》13日讯,三星电子为供应英伟达HBM3E产品,正致力投入产品验证,不过传因台积电采用标准问题,导致8层HBM3E仍待进一步的检验。 (Alpha Biz)
05月13日 13:53 来自 Alpha Biz7.34W+
财联社5月8日电,天风国际分析师郭明錤预计,英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在2025年4季度量产,系统/机柜方案预计将在2026年上半年量产。R100将采台积电的N3制程与CoWoS-L封装(与B100相同)。R100预计将搭配8颗HBM4。英伟达已理解到AI伺服器的耗能已成为CSP/Hyperscale采购与资料中心建置挑战,故R系列的晶片与系统方案,除提升AI算力外,耗能改善亦为设计重点。
05月08日 06:15 6.75W+
《科创板日报》7日讯,消息称三星电子组建了一支新的HBM工程师团队,以确保从英伟达拿下数十亿美元的合约。三星的新工作小组由大约100名优秀工程师组成,他们一直致力于提高制造产量和质量,首要目标是通过英伟达的测试。 (台湾电子时报)
05月07日 19:27 来自 台湾电子时报7.08W+
《科创板日报》6日讯,三星电子为了加强HBM竞争力,将新一代HBM开发组织二元化:预计明年量产的HBM4由HBM开发组全权负责;HBM3E由负责现有HBM开发的DRAM设计组负责。
05月06日 15:19 7.35W+
①SK海力士CEO表示,公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄。
②集邦咨询预计2023年-2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均将大幅向上。
③国内方面,机构认为,需求叠加技术创新周期,HBM原厂、先进封装、半导体设备、半导体材料等环节公司均有望持续受益。
05月06日 13:53 来自 科创板日报2.41W+
《科创板日报》6日讯,据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价,不过受限于DRAM总产能有限,为避免产能排挤效应,供应商已经初步调涨5~10%,包含HBM2e,HBM3与HBM3e。
05月06日 12:19 8.16W+
财联社5月2日电,在媒体招待会上,韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。
05月02日 11:54 9.5W+
财联社4月30日电,三星电子30日表示,目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品,计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。
04月30日 10:59 8.88W+
财联社4月30日电,三星电子称,由于专注于高带宽内存(HBM)生产,预计下半年先进DRAM产品的供应将受到额外限制。
04月30日 09:48 7.82W+
《科创板日报》26日讯,台积电系统级晶圆技术将迎来重大突破,公司表示,采用CoWoS技术的芯片堆叠版本,预计于2027年准备就绪,整合SoIC、HBM及其他零部件,打造一个强大且运算能力媲美资料中心伺服器机架,或甚至整台伺服器的晶圆级系统。
04月26日 09:04 5.61W+
《科创板日报》25日讯,SK海力士表示,12层堆叠(12Hi)HBM3E内存开发有望三季度完成,而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8Hi HBM3E内存,SK海力士将为明年客户对12Hi HBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估,如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽,内存市场将面临紧张局势。
04月25日 14:22 4.51W+
财联社4月24日电,SK海力士计划斥资约20万亿韩元(146亿美元)在韩国构建新的存储芯片产能,进行重大的产能升级,以满足快速增长的人工智能开发需求。这家韩国公司将初步拨出5.3万亿韩元,于4月底左右开始建设一家新工厂或晶圆厂,计划在2025年11月完工。根据声明,SK海力士将长期逐步发展该设施,总投资将超过20万亿韩元。
04月24日 17:44 6.58W+
《科创板日报》24日讯,三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货合同。AMD采购三星的HBM,而作为交换三星会采购AMD的AI加速卡,但具体换购数量目前尚不清楚。三星日前表示将于今年上半年量产HBM3E 12H内存,而AMD预估将会在今年下半年开始量产相关的AI加速卡。 (nate)
04月24日 14:45 来自 nate4.88W+
财联社4月22日电,华泰证券研报指出,行业侧半导体库存水平持续改善,逻辑和内存客户光刻设备利用率持续提高,需求下半年有望回暖。AI相关需求持续增长,DDR5及HBM推动内存需求,逻辑客户仍在继续消化新增产能。看好全球半导体设备行业景气度回暖。
04月22日 08:14 7.14W+
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