《科创板日报》16日讯，据业界人士透露，SK海力士正在考虑将无助焊剂键合工艺应用于HBM4，目前正在研发层面进行商业可行性审查，并非立即引入和投资。与HBM3E相比，HBM4可以增加4级以上的级数，因此被解释为这是为了减小DRAM之间的间距而考虑。