《科创板日报》5日讯，近日，浙江华辰芯光技术有限公司（下称“华辰芯光”）完成B+轮超亿元融资，投资方为同创伟业、智造安合、静水湖创投。

本轮融资资金将主要用于多系列量产芯片的可靠性测试能力建设、产能扩充及新一代产品研发。

华辰芯光2026年内已顺利完成两轮融资，短短数月之内连续两轮超亿元融资落定，其中同创伟业对本轮进行了追资。

根据财联社创投通—执中数据，以2026年11月为预测基准时间，浙江华辰芯光技术有限公司后续2年的融资预测概率为87.99%。

华辰芯光成立于2021年，总部位于浙江省绍兴市柯桥区，是一家致力于高可靠半导体激光器芯片研发制造的IDM模式高科技企业。

核心团队来自海外顶级光芯片企业，汇聚GaAs、InP领域全球专家，具备十年以上激光芯片研发及制造工艺积累，覆盖芯片设计、外延生长、FAB工艺、封测及可靠性验证全链条能力。公司创立旨在解决国内高端半导体激光芯片国产化率极低、关键元件依赖进口的挑战。

早期突破WXP高可靠激光腔面钝化技术，光学灾变损伤阈值提升500%以上。当前核心产品Nova系列1000mW单模980nm泵浦激光芯片实现-45°C~85°C宽温稳定输出，光电转换效率达55%，无扭折功率突破1200mW，通过GR-468可靠性验证。同步布局面向CPO的超大功率InP CW激光芯片。

已成为全球极少数能够批量生产高端980nm泵浦激光芯片的企业，性能对标海外头部供应商主流产品。工程样品已向特定客户开放申请，量产供货进入倒计时。产品在无锡、衢州、武汉等地建有全流程制造及封测基地，广泛应用于光纤通信、数据通信、卫星通信及量子计算等领域。

高可靠半导体激光器芯片技术路线尚未收敛，硅光集成渗透加速与上游供应链波动风险并存。

竞争格局方面，长光华芯已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线；推出9XXnm50W高功率半导体激光芯片，现已实现大批量生产、出货；建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台。仕佳光子数据中心用硅光配套非控温100mW CW DFB激光器实现批量出货，商温400mW CW DFB激光器小批量出货；有源的400G/800G相关产品已送样验证。源杰科技大功率CW硅光光源持续大批量交付，100G PAM4 EML激光器开始批量出货；当前主要出货数据中心用CW激光器（70mW、100mW）及100G EML产品。

政策情况方面，北京市人民政府印发《北京市“十五五”时期数字经济发展规划》，指出攻关掌握存算一体芯片、硅基光电子、先进封装与芯粒(Chiplet)、高性能光互联等前沿芯片技术。

市场空间方面，LightCounting在2026年6月发布的报告中指出，2026年基于硅光的光模块销售额将首次超过整体市场的50%。

行业趋势方面，招商证券(香港)指出，可插拔、NPO、CPO与芯片级光I/O将按场景长期共存，最终路线尚未收敛；微环与MicroLED路线成熟度尚待验证，光源与调制路线尚未收敛（EML、CW光源加硅光、微环、MicroLED）。国联民生指出，硅光集成方案相对优势逐渐放大，有望推进渗透率提升；随着光模块速率和集成度持续提升，通道数量增加以及高速调制需求不断提高，两种架构在光源配置、制造扩展性和封装复杂度方面的差异逐步放大。

行业风险方面，华福证券指出，800G/1.6T光模块需求及AI数据中心资本开支不及预期；200G EML等高速磷化铟光芯片客户验证进度不及预期；国内磷化铟晶片扩产及良率爬坡不及预期；海外磷化铟供应商新增产能释放速度快于预期；精铟、高纯红磷等上游原材料价格大幅波动；硅光、薄膜铌酸锂等技术路线演进及CPO渗透节奏快于预期。