《科创板日报》11月9日讯（记者 吴旭光） 11月9日晚间，清溢光电发布公告，公司审议通过了《关于控股子公司投资建设项目的议案》，同意公司控股子公司佛山清溢微投资建设高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期，第三期项目计划总投资额不超过15亿元。

清溢光电表示，本项目建设完成后，可提高公司半导体掩膜版产品的技术能力和产能，优化公司半导体掩膜版的产品结构，提升技术和工艺水平，提升公司在半导体掩膜版市场占有率。

三期瞄准28nm-14nm先进制程

《科创板日报》记者注意到，早在2023年8月，清溢光电披露了《关于拟对外投资暨签署合作协议的公告》（公告编号：2023 018），清溢光电拟在佛山市南海区投资35亿元建设佛山生产基地项目，其中“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”分三期建设，彼时合计拟投资15亿元，其中一期拟投资6.05亿元，二期拟投资2.95亿元，三期拟投资6亿元，实施主体为佛山清溢微电子有限公司（以下简称“佛山清溢微”）。

最新项目进展方面，根据公告，目前“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”已顺利投产，“高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期”正稳步推进中。

“为抢抓半导体产业国产替代战略机遇，补齐高端半导体掩膜版产能缺口，公司控股子公司佛山清溢微拟在现有高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期、二期基础上投资建设‘高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期’，第三期项目计划总投资额不超过15亿元。”清溢光电补充说道。

对于项目市场定位及可行性，清溢光电表示，一方面，项目定位为面向国内先进制程晶圆制造环节的高端半导体掩膜版本土化配套产能，聚焦28nm-14nm节点掩膜版产品供给，承接国内晶圆厂扩产及制程升级带来的掩膜版增量需求，有助于补齐国内先进制程掩膜版供给短板。

另一方面，在AI算力、高性能计算、高端终端需求持续拉动下，国内晶圆制造制程持续往更加先进的方向发展，对应掩膜版需求持续增长，28nm-14nm项目产能规划与下游晶圆制造的配套需求相匹配，具备较好的市场需求基础。

谈及半导体掩膜版当前研发进度及未来的研发规划，今年11月，清溢光电在接收机构投资者调研时表示，目前公司55nmBinary已实现量产、55nmPSM掩膜版已进入客户验证阶段，正在推进更高制程节点掩膜版的工艺开发规划。公司已掌握电子束光刻、干法蚀刻等中高端掩膜版核心关键工艺，为后续产品升级与技术迭代筑牢基础。

在介绍佛山生产基地目前产能爬坡进展时，清溢光电表示，佛山清溢光电平板显示掩膜版生产基地的产能爬坡进展良好，产线运行趋于稳定，佛山清溢光电平板显示掩膜版业务已实现盈亏平衡。佛山清溢微半导体掩膜版生产基地投产时间晚于佛山清溢光电平板显示掩膜版生产基地，当前仍处于产能爬坡阶段，半导体掩膜工艺难度更高、爬坡时间更长。

产线爬坡拖累短期毛利率

《科创板日报》记者注意到，掩膜版市场需求旺盛，随之而来的是市场竞争加剧的风险。

目前行业内竞争对手主要有美国的福尼克斯、日本的TOPPAN、SKE、HOYA、DNP、韩国的LG IT，以及中国台湾的台湾光罩和中国大陆的掩膜版企业，行业集中程度较高。随着下游产业向中国大陆不断转移，未来将导致市场竞争加剧，对公司的经营业绩产生一定的影响。

盈利能力方面，截至今年前三季度，清溢光电毛利率为31.20%，较去年同期的31.48%，下降0.28个百分点。其中，该公司第三季度单季的毛利率为28.24%，较去年同期的32.39%，下降4.15个百分点。

对此，公司表示，2026年第三季度综合毛利率短期波动，主要是以下因素叠加所致：一是产品销售结构变化，当期毛利较低的产品销售占比阶段性提升；二是佛山半导体掩膜版产线尚处于持续爬坡阶段，固定资产折旧、制造分摊成本较此前增加。

11月9日晚间，清溢光电还发布增资公告称，为匹配佛山清溢微经营发展资金需求，为其补充必要营运资金，拟以自有资金增加向佛山清溢微提供财务资助额度，增加财务资助额度合计不超过2亿元，有效期为自股东会审议通过之日起至2029年4月23日止，借款利率为0%。

清溢光电从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务，是国内成立最早、规模最大的掩膜版生产企业之一。

该公司主要产品为掩膜版（Photomask），又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具，是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体，主要应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业。

业绩表现方面，2026年前三季度，清溢光电实现营业收入9.74亿元，同比增长4.90%；实现净利润1.6亿元，同比增长11.02%；实现扣非净利润1.45亿元，同比增长11.55%。

二级市场表现方面，截至11月9日收盘，清溢光电股价报收28.29元/股，最近6个月累计跌幅13.91%，公司总市值89.06亿元。