HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
《科创板日报》21日讯，三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月，而这一变化可能会影响到三星对HBM4内存的规划。三星电子原计划在去年12月将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但在实际情况中，三星虽于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。 (MoneyToday)
12小时前 来自 MoneyToday阅 202.79W+
《科创板日报》14日讯，业内人士指出，三大厂将产能移往高频宽记忆体(HBM)，DRAM产业供需预计于2025年第二季度恢复平衡，2025年下半年小幅供不应求，报价有望趋于稳定。 (台湾工商时报)
01月14日 09:09 来自 台湾工商时报阅 239.01W+
财联社1月9日电，韩国SK集团会长崔泰源8日在2025年国际消费类电子产品展览会（CES 2025）上举行记者座谈会时表示，人工智能（AI）在所有领域引领变化，不再是可选项。做AI市场的领头羊还是跟随者，将决定未来的发展。目前，AI产业先要具备基础设施和人力资源等基本条件。我们要把握主动开创未来，不能依赖他国。崔泰源还介绍展会期间与英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋会面一事，称双方就高带宽存储器（HBM）和“物理AI”等话题交换了意见。SK海力士正向英伟达独家供应HBM，去年3月率先供应第五代8层HBM3E产品，同年10月全球首次量产12层堆叠的HBM3E內存。崔泰源说，其间SK海力士HBM研发速度略慢于英伟达，对方（英伟达）要求SK海力士提速，而近期（SK海力士的）研发速度开始赶超，两家公司正在加快研发HBM。双方已通过工作层会议敲定了今年的供应量。
01月09日 11:49 阅 289.25W+
《科创板日报》3日讯，三星电子DS部门内存业务部最近完成了HBM4内存逻辑芯片设计，Foundry业务部现已根据该设计采用4nm制程启动试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的HBM4内存样品。 (Chosun Biz)
01月03日 14:04 来自 Chosun Biz阅 345.15W+
《科创板日报》3日讯，SK海力士宣布将参加CES 2025，并将展出16层堆叠HBM3E样品。SK海力士CEO郭鲁正表示，SK海力士将于今年下半年开始量产第六代HBM(HBM4)。
01月03日 12:03 阅 353.39W+
《科创板日报》30日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季进入淡季循环，DRAM市场因智能手机等消费性产品需求持续萎缩，加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑，已提前备货，进而造成DRAM均价下跌。其中，一般型DRAM的跌幅预估将扩大至8%至13%，若计入HBM产品，价格预计下跌0%至5%。
12月30日 12:40 阅 268.05W+
《科创板日报》25日讯，据TechInsights报告指出，随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而不是传统的DRAM产品。
12月25日 13:49 阅 287.61W+
《科创板日报》23日讯，美光发布了其HBM4和HBM4E项目的最新进展。具体来看，下一代HBM4内存采用2048位接口，计划在2026年开始大规模生产，而HBM4E将会在后续几年推出。 (Wccftech)
12月23日 10:47 来自 Wccftech阅 262.19W+
《科创板日报》11日讯，美国芯片公司Marvell宣布推出一种新的定制HBM计算架构，使XPU能够实现更高的计算和内存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正与云客户和领先的HBM制造商美光、三星电子和SK海力士合作，为下一代XPU定义和开发定制HBM解决方案。
12月11日 16:21 阅 279W+
《科创板日报》6日讯，据传，英伟达下一代Rubin架构将提前六个月上市，Rubin产品线最初计划于2026年推出，现已提前至2025年中期。Rubin预计将采用台积电的3nm工艺，以及HBM4内存芯片。 (Wccftech)
12月06日 12:38 来自 Wccftech阅 343.64W+
《科创板日报》6日讯，博通宣布推出行业首个3.5D F2F封装技术，技术名为3.5D XDSiP，可在单一封装中集成超过6000平方毫米的硅芯片和多达12个HBM内存堆栈，可满足大型AI芯片对高性能低功耗的需求。博通目前正在采用该技术开发五款产品，预计将于2026年2月开始生产。
12月06日 11:17 阅 352.67W+
财联社11月29日电，美国彭博社28日引述知情人士消息称，拜登政府正考虑进一步限制向中国出售半导体设备和人工智能内存芯片，但不会采取此前提出的一些更严厉措施。这些限制措施最早可能会在下周公布。美国《连线》杂志27日称，拜登政府预计在下周一宣布最新措施。据彭博社报道，知情人士表示，新规的具体内容和发布时间已经过多次调整，在发布之前可能都会发生变化。最新提案与早期有几个关键不同点，首先就是美国将会把哪些中国公司拉入贸易限制清单。美国此前曾考虑制裁中国科技巨头华为至少6家供应商，但目前计划仅将部分供应商列入清单。报道特别提到，尝试开发AI内存芯片技术的长鑫存储并不在清单之内。最新版本的管制措施可能还将包括对高带宽内存（HBM）芯片的控制等内容。 (环球网)
11月29日 07:30 来自 环球网阅 302.55W+
《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2亿美元，季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。平均销售单价部分，三大原厂延续前一季的上涨趋势，加上HBM持续挤压整体DRAM产能，合约价于第三季达成8%至13%的涨幅。
展望2024年第四季，TrendForce集邦咨询预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格则因HBM挤压产能效应可能较预期弱，加上部分供应商扩产将驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，预期一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都将下跌。
展望2024年第四季，TrendForce集邦咨询预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格则因HBM挤压产能效应可能较预期弱，加上部分供应商扩产将驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，预期一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都将下跌。
11月26日 13:50 阅 265.5W+
《科创板日报》21日讯，由于HBM产品中封装重要性不断加强，三星电子正在扩大对国内和海外生产基地的投资，以加强其半导体先进封装业务。据悉，日前三星签署了第三季度销售和采购半导体设备的合同，以扩大其中国苏州工厂的生产设施，该合同价值约200亿韩元。苏州工厂是目前三星电子唯一的海外测试和封装生产基地。另外，三星近期也与韩国忠清南道和天安市签署了投资协议，以扩大半导体封装工艺设施。 (BusinessKorea)
11月21日 09:28 来自 BusinessKorea阅 275.81W+
《科创板日报》20日讯，据报道，SK海力士和三星近期接获特斯拉的HBM4供应要求，正在研发样品，不过相较微软、Meta、谷歌等主要采购定制化芯片，特斯拉将采购通用HBM4，用于强化超级电脑Dojo性能，预期将比较样品性能后决定主要供应商。 (韩国经济日报)
11月20日 14:00 来自 韩国经济日报阅 274.12W+
《科创板日报》14日讯，SK海力士近日在SK AI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e 16hi内存，每个立方体的容量为48 GB，样品定于2025年上半年推出。TrendForce最新发现显示，该产品内存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用，其有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。
11月14日 19:06 阅 256.15W+
