HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
《科创板日报》26日讯，随着HBM高价产品贡献获利的快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去两年，三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第三季NAND Flash或微幅供过于求，而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。 (台湾电子时报)
07月26日 09:54 来自 台湾电子时报阅 8.27W+
《科创板日报》22日讯，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM（内存）及NAND Flash（闪存）产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，只是存储器买方成本压力将随之上升。
07月22日 16:16 阅 7.18W+
《科创板日报》22日讯，三星华城17号产线已量产并向英伟达供应HBM3内存。此外，为弥补HBM供应造成的通用DRAM内存供应短缺，平泽P4工厂转为DRAM专用生产线。 (sedaily)
07月22日 09:00 来自 sedaily阅 7.69W+
《科创板日报》17日讯，报道称，SK海力士将采用台积电N5工艺版基础裸片（BaseDie）构建HBM4内存。SK海力士和台积电双方于今年4月签署了合作谅解备忘录，宣布将就HBM内存的基础裸片加强合作。此前有消息称，SK海力士的首批HBM4产品（12层堆叠版）有望于2025年下半年推出。 (韩国经济日报)
07月17日 16:34 来自 韩国经济日报阅 7.15W+
《科创板日报》17日讯，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽。 (The Elec)
07月17日 08:42 来自 The Elec阅 6.98W+
《科创板日报》16日讯，据报道，三星将采用4nm制程生产第六代HBM4芯片逻辑颗粒。 (韩国经济日报)
07月16日 12:57 来自 韩国经济日报阅 6.98W+
《科创板日报》11日讯，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会昨日表示，HBM4标准即将定稿，在更高的带宽、更低的功耗、增加裸晶/堆栈性能之外，还进一步提高数据处理速率。据悉，相比较HBM3，HBM4的每个堆栈通道数增加了一倍，物理尺寸更大。 (Businesswire)
07月11日 15:04 来自 Businesswire阅 7.2W+
《科创板日报》10日讯，三星电子表示，定制HBM预计在HBM4世代成为现实。三星电子存储部门新事业企划组组长Choi Jang-seok称，HBM架构正在发生巨大变化。许多客户正在从传统的通用HBM转向定制产品。此外，三星电子正在开发单堆栈达48GB的大容量HBM4内存，预计明年投产。 (TheElec)
07月10日 12:46 来自 TheElec阅 6.86W+
《科创板日报》10日讯，三星电子和SK海力士最近被证实正与合作伙伴共同开发技术，将HBM的晶圆剥离（脱键合）工艺改为激光技术，目标是防止晶圆翘曲。三星电子和SK海力士正在考虑各种方法，包括准分子激光和紫外 (UV) 激光。激光剥离技术可能会从HBM4 1层开始引入。 (etnews)
07月10日 09:19 来自 etnews阅 6.1W+
《科创板日报》10日讯，全球前三大存储器厂SK海力士、三星及美光，正积极投入高频宽存储器（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，同比增105％。HBM是AI芯片占比最高的零部件，根据外媒拆解，英伟达H100近3000美元成本，SK海力士HBM成本就占2000美元，超过生产封装。 (台湾工商时报)
07月10日 08:40 来自 台湾工商时报阅 6.16W+
财联社7月4日电，据业界消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门当天进行改组，新设HBM研发组。三星电子副社长、高性能DRAM设计专家孙永洙（音译）担任该研发组组长，带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。此外，三星电子还对先进封装（AVP）团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。 (韩联社)
07月04日 20:35 来自 韩联社阅 6.59W+
《科创板日报》4日讯，TrendForce最新报告指出，DRAM现货价格因DDR4、DDR5供货吃紧，略有上涨。原本从退役模组中剥离出来的旧DDR4芯片供应量略有减少，加上DDR4芯片现货价格已跌至2023年底的0.9美元低点，因此近期有小幅反弹；不过消费电子需求并未出现明显反弹，因此预计DDR4芯片价格涨幅有限。DDR5方面，由于三星将更多1alpha nm产能分配给HBM导致供应量收紧，加上近期有特殊情况买家询价，因此DDR5产品价格略有上涨。
07月04日 12:55 阅 6.8W+
《科创板日报》3日讯，三星电子先进封装（AVP）部门正在主导开发“半导体3.3D先进封装技术”，目标应用于AI半导体芯片，2026年第二季度量产。该技术通过安装RDL中介层替代硅中介层来连接逻辑芯片和HBM；并通过3D堆叠技术将逻辑芯片堆叠在LLC上。三星预计，新技术商业化之后，与现有硅中介层相比，性能不会下降，成本可节省22%。三星还将在3.3D封装引进“面板级封装(PLP)”技术。
07月03日 09:44 阅 6.49W+
《科创板日报》27日讯，韩国后端设备制造商ASMPT已向美光提供了用于高带宽内存生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E。但据消息人士称，由于新川正在向其最大客户三星电子供应TC键合机，无法及时回应美光的需求，因此美光增加了韩美半导体作为第二供应商，并于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。 (THEELEC)
06月27日 12:53 来自 THEELEC阅 6.99W+
财联社6月27日电，美光科技称，2024-25年HBM内存芯片已经售罄；内存芯片供不应求；工业和零售需求存在不确定性。
06月27日 04:54 阅 6.9W+
