HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
《科创板日报》15日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。 (TheElec)
13小时前 来自 TheElec阅 2.68W+
《科创板日报》12日讯，三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。 (ZDNet)
09月12日 16:03 来自 ZDNet阅 6.73W+
财联社9月12日电，韩国芯片制造商SK海力士表示，该公司已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好准备。该公司股价一度涨逾5%。
09月12日 08:34 阅 6.36W+
《科创板日报》11日讯，日本铠侠计划到2027年实现AI SSD的商业化，其数据读取速度将比传统产品快近100倍。该SSD将与英伟达合作开发并用于处理生成式AI计算的服务器，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。 (日经新闻)
09月11日 17:34 来自 日经新闻阅 5.38W+
《科创板日报》11日讯，为超越HBM，SK海力士已与Naver Cloud合作，启动概念验证测试，以推动下一代AI内存解决方案的商业化。SK海力士表示，已与Naver Cloud签署了一份谅解备忘录，合作重点是在Naver Cloud的实际数据中心测试CXL和PIM。 (Sedaily)
09月11日 14:30 来自 Sedaily阅 5.75W+
《科创板日报》8日讯，SEMI报告显示，2025年第二季度全球半导体设备销售额同比增长24%，达330.7亿美元。受前沿逻辑、先进高带宽存储器 (HBM) 相关DRAM 应用以及亚洲出货量增长的推动，2025年第二季度销售额环比增长3%。全球半导体设备市场在2024年创下1170亿美元的纪录后，2025年上半年表现强劲，收入超过650亿美元。
09月08日 12:39 阅 5.76W+
《科创板日报》21日讯，三星上月提供给英伟达的HBM4样品已通过初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。HBM4芯片将被应用在英伟达的下一代AI加速器“Rubin”中。如果三星能顺利通过预生产阶段，他们的HBM4芯片在11月就能开始量产，从而迅速缩小与SK海力士之间的差距。 (SEDaily)
08月21日 14:46 来自 SEDaily阅 5.95W+
《科创板日报》18日讯，AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，在2025年二季度以38.2%的市场份额再度蝉联第一，并扩大了与三星的差距。 (闪存市场)
08月18日 16:42 来自 闪存市场阅 5.21W+
《科创板日报》18日讯，英伟达已启动自家HBM Base Die（逻辑层 / 底层芯片）设计计划，未来无论选择任一品牌HBM堆叠产品，Base Die都将采用英伟达自有设计方案，制程节点3nm，预估将于2027年下半年开始小量试产。 (台湾工商时报)
08月18日 13:42 来自 台湾工商时报阅 5.58W+
《科创板日报》18日讯，据闪存市场最新统计，在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL（产品生命周期终止）通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。其中，SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，二季度以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距。
08月18日 13:30 阅 5.63W+
财联社8月14日电，佰维存储近日在2025年半年度业绩交流会上表示，2025年一季度，闪迪、长存、美光等存储企业已经分别发布涨价函，个别产品的价格已经有所企稳回升。经过上半年的减产与库存去化，NAND供需失衡情况已明显改善；DRAM方面，由于三星、美光、海力士的业务重心仍在HBM等高端产品，陆续减少DDR4以及Mobile用LPDDR4X的供应，并宣布相关产品进入EOL，引发了相关产品的供应短缺，产品价格上涨。目前存储行业价格企稳回升，叠加传统旺季的备货动能，以及AI眼镜等新兴应用需求旺盛，从当前时点来看，景气度仍会持续。 (证券时报)
佰维存储-1.05%
08月14日 11:02 来自 证券时报阅 5.38W+
《科创板日报》1日讯，三星电子在其最新业绩电话会议上表示，对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化，预计这将暂时对市场价格产生影响。三星表示，考虑到下半年传统DRAM的价格上涨，认为未来HBM3E与传统DRAM之间的利润率差距将大幅缩小。从盈利能力优化的角度来看，短期内均衡的产品组合策略可能变得更加必要。
08月01日 13:09 阅 6.82W+
《科创板日报》31日讯，三星电子表示，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。业内人士指出，三星已针对客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。 (ZDNet)
07月31日 21:12 来自 ZDNet阅 5.55W+
财联社7月31日电，三星电子表示，下半年HBM3E芯片销售将占逾90%，已向客户提供HBM4芯片样品，下半年AI芯片需求成长将加速；下半年DRAM价格将持续上涨；HBM3E芯片供应成长速度快于需求。
07月31日 10:04 阅 5.62W+
《科创板日报》24日讯，三星电子基于10纳米级第六代1c DRAM所生产的12层第HBM4，原本计划于2025年下半年量产。最新消息指出，三星决定将量产时间推迟至2026年，并预计在2025年第3季度内，将制造出的HBM4样品交付主要客户。 (Deal Site)
07月24日 13:47 来自 Deal Site阅 5.61W+
《科创板日报》21日讯，三星已准备在本月底前向AMD和英伟达等客户提供HBM4样品。三星计划应用10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，开发更精密、良率更高的HBM4。后续三星和SK海力士都计划在下半年正式量产HBM4，并从明年起全面展开竞争。
07月21日 20:51 阅 4.93W+
《科创板日报》21日讯，业界消息称，SK海力士正在讨论扩大HBM3E 8层产品的生产规模，其出货量预计将超出最初预期。 (ZDNET Korea)
07月21日 16:51 来自 ZDNET Korea阅 5.1W+
