HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
财联社4月30日电，三星电子30日表示，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。
04月30日 10:59 阅 8.88W+
《科创板日报》26日讯，台积电系统级晶圆技术将迎来重大突破，公司表示，采用CoWoS技术的芯片堆叠版本，预计于2027年准备就绪，整合SoIC、HBM及其他零部件，打造一个强大且运算能力媲美资料中心伺服器机架，或甚至整台伺服器的晶圆级系统。
04月26日 09:04 阅 5.61W+
《科创板日报》25日讯，SK海力士表示，12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8Hi HBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12Hi HBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估，如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。
04月25日 14:22 阅 4.51W+
《科创板日报》24日讯，三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货合同。AMD采购三星的HBM，而作为交换三星会采购AMD的AI加速卡，但具体换购数量目前尚不清楚。三星日前表示将于今年上半年量产HBM3E 12H内存，而AMD预估将会在今年下半年开始量产相关的AI加速卡。 (nate)
04月24日 14:45 来自 nate阅 4.88W+
财联社4月19日电，三星电子据悉最早将于今年上半年向英伟达供应HBM3E，早于业界预计的第三季度末或第四季度初。据悉，样品相关的测试已进入最后阶段。 (韩国每日经济新闻)
04月19日 17:28 来自 韩国每日经济新闻阅 8.37W+
财联社4月19日电，韩国SK海力士4月18日宣布，近期台积电签署了一份谅解备忘录，双方将合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。该公司计划通过这一举措着手开发HBM4，即HBM系列的第六代产品，预计将于2026年开始量产。两家公司将首先致力于提高安装在HBM封装最底部的基础芯片的性能，并同意合作优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，合作应对客户对HBM的共同要求。
04月19日 08:05 阅 6.76W+
《科创板日报》18日讯，方正证券最新研报指出，综合考虑全球CoWoS产能（估计台积电2024年CoWoS全年产出约252千片）、客户份额、单片晶圆产出的芯片颗数、以及不同AI加速芯片配备的HBM规格，预计2024年全球HBM需求量约4000万颗，容量合计约669M GB，市场规模达到91.4亿美金。其中英伟达所需的HBM占全球比重约58%，谷歌、AMD紧随其后，分别占比15%和14%，中国厂商HBM需求占比约7%。
04月18日 18:55 阅 7.2W+
财联社4月18日电，中信证券研报认为，在AI大模型时代云端、终端算力双重爆发的带动下，存储行业将从涨价修复周期转向技术成长共振的新周期。云端角度，HBM高带宽特性能够满足AI算力芯片高速传输需求，与AI算力规模快速扩容相辅相成，带动TSV、2.5D封装(CoWoS)需求；此外企业级内存条和SSD需求亦同步攀升。终端角度，端侧大模型落地带动SoC算力提升，内存作为算力的核心配套，对其规格、容量均提出更高的要求。对于新型存储HBM，公司建议关注布局先进封装的封测厂商、半导体设备厂商；对于传统存储DRAM/NAND Flash，公司建议关注受益DDR5渗透的内存配套芯片厂商，以及布局企业级内存模组的头部模组厂商。
04月18日 08:19 阅 7.33W+
《科创板日报》16日讯，三星电子联席首席执行官庆桂显据悉拜访台积电及广达集团旗下云达。消息人士透露，庆桂显此行有两大任务，最主要是推广三星最新高频宽内存（HBM），其次是洽谈与台厂可能的AI合作，但并未涉及台韩晶圆代工竞合议题。对于传出庆桂显到访，台积电表示，不评论市场传闻。云达则在LinkedIn上发文证实庆桂显到访。据悉，庆桂显此行也参观云达与英特尔合作打造的5G Open Lab。 (台湾经济日报)
04月16日 08:46 来自 台湾经济日报阅 6.93W+
《科创板日报》15日讯，消息称三星电子12层HBM3E将于2024年第二季量产，并搭载于超微新一代人工智能半导体。随着HBM客户扩大至超微，三星有望加速追赶SK海力士。 (台湾电子时报)
04月15日 12:47 来自 台湾电子时报阅 7.22W+
《科创板日报》7日讯，三星电子使用混合键合技术制造出16层HBM样品，并确认运行正常。三星电子表示，批量生产可能需要时间，但这是正常的；（该样品）使用了HBM3，但公司计划准备在未来使用HBM4改进批量生产。”
04月07日 13:46 阅 7.47W+
《科创板日报》28日讯，韩国经济日报3月28日消息，三星电子高管在“Memcon 2024”全球半导体大会上表示，预计三星今年的HBM芯片产量将比去年增加2.9倍，高于该公司今年年初在CES 2024上给出的预测。
03月28日 15:30 阅 6.93W+
《科创板日报》28日讯，日前在全球芯片制造商聚会Memcon2024 上，三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong表示，预计该公司将增加HBM芯片产量，今年产量是去年的2.9倍。三星今年年初在CES 2024上给出的预测为2.5倍。三星预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍；到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年水平的23.1倍。
03月28日 13:19 阅 6.47W+
财联社3月27日电，SK海力士CEO郭鲁正3月27日表示，预计用于AI芯片组的HBM芯片在公司DRAM芯片销售中所占比重将从去年的个位数上升至今年的两位数。郭鲁正另外就“SK海力士拟投资约40亿美元，在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂”的媒体报道回应称，工厂最终选址仍在慎重研究中，尚未做出决定，将于今年内完成选址工作。
03月27日 14:22 阅 7.01W+
《科创板日报》25日讯，据韩国alphabiz消息，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC 2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。
03月25日 10:27 阅 7.69W+
