HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
《科创板日报》1日讯，三星电子在其最新业绩电话会议上表示，对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化，预计这将暂时对市场价格产生影响。三星表示，考虑到下半年传统DRAM的价格上涨，认为未来HBM3E与传统DRAM之间的利润率差距将大幅缩小。从盈利能力优化的角度来看，短期内均衡的产品组合策略可能变得更加必要。
08月01日 13:09 阅 6.66W+
《科创板日报》31日讯，三星电子表示，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。业内人士指出，三星已针对客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。 (ZDNet)
07月31日 21:12 来自 ZDNet阅 5.55W+
财联社7月31日电，三星电子表示，下半年HBM3E芯片销售将占逾90%，已向客户提供HBM4芯片样品，下半年AI芯片需求成长将加速；下半年DRAM价格将持续上涨；HBM3E芯片供应成长速度快于需求。
07月31日 10:04 阅 5.61W+
《科创板日报》24日讯，三星电子基于10纳米级第六代1c DRAM所生产的12层第HBM4，原本计划于2025年下半年量产。最新消息指出，三星决定将量产时间推迟至2026年，并预计在2025年第3季度内，将制造出的HBM4样品交付主要客户。 (Deal Site)
07月24日 13:47 来自 Deal Site阅 5.61W+
《科创板日报》21日讯，三星已准备在本月底前向AMD和英伟达等客户提供HBM4样品。三星计划应用10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，开发更精密、良率更高的HBM4。后续三星和SK海力士都计划在下半年正式量产HBM4，并从明年起全面展开竞争。
07月21日 20:51 阅 4.93W+
《科创板日报》21日讯，业界消息称，SK海力士正在讨论扩大HBM3E 8层产品的生产规模，其出货量预计将超出最初预期。 (ZDNET Korea)
07月21日 16:51 来自 ZDNET Korea阅 5.1W+
《科创板日报》16日讯，TrendForce集邦咨询表示，美国有望允许NVIDIA（英伟达）恢复对中国市场销售H20 GPU，政策转折将有助带动当地AI与云端业者的需求回补，预期H20将重新成为该市场高端AI芯片主力，带动HBM需求同步增加。依最新形势推估，在NVIDIA可能将冲刺原定出货目标下，TrendForce集邦咨询据此调升中国AI市场外购NVIDIA、AMD（超威）等芯片比例到49%，先前考量出口禁令预估值约42%。
07月16日 17:10 阅 5.48W+
《科创板日报》7日讯，据TrendForce集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产品，并陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL)，引发市场对旧世代产品积极备货，叠加传统旺季备货动能，将推升2025年第三季一般型DRAM价格季增10%至15%，若纳入HBM，整体DRAM涨幅将季增15%至20%。
07月07日 16:01 阅 5.27W+
《科创板日报》7日讯，三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试，正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右，量产时间预计最早从今年下半年延续至明年。
07月07日 15:18 阅 5.14W+
《科创板日报》1日讯，三星DS部门负责人全永铉(Jun Young-hyun)日前访问英伟达美国总部，讨论为GB300 Blackwell Ultra提供12层HBM 3E潜在合作事宜。英伟达计划今年年底开始出货Blackwell Ultra，其已经与SK海力士和美光敲定了12层HBM3E的初步供应合同。但英伟达正在推迟敲定2026年供应量的最终合同，业内分析，若三星能成为12层HBM3E供应商，则英伟达有望在与SK海力士、美光的价格谈判中获得优势。 (Business Korea)
07月01日 16:20 来自 Business Korea阅 5.22W+
《科创板日报》1日讯，SK海力士表示，正与英特尔在大带宽、大容量内存方面合作，有望向英特尔Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4。
07月01日 15:19 阅 5.44W+
《科创板日报》17日讯，据ZDNet Korea，SK海力士已开始准备为亚马逊提供12层HBM3E。亚马逊计划最早在今年年底或明年发布下一代AI芯片Trainium 3。与上一代相比，计算性能提高了一倍，能效提高了约40%。总内存容量144GB，集成了4个12层HBM3E。
06月17日 14:38 阅 5.58W+
《科创板日报》13日讯，AMD表示，Instinct MI350系列采用了三星电子和美光的HBM产品。Instinct MI350系列采用了8个36GB HBM3E内存，具有12Hi堆叠配置和8Gbps性能，内存总容量为288GB，带宽为8TB/s。
06月13日 12:55 阅 7.2W+
《科创板日报》12日讯，三星电子6月进行的第3次英伟达12层HBM3E产品认证未获通过，下一次认证定于9月进行。而美光已将HBM3E的良率提高到70%以上。 (businesspost)
06月12日 10:27 来自 businesspost阅 5.78W+
《科创板日报》11日讯，三星位于韩国华城的DRAM第17产线（Line 17）正推动制程转换，预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程，配合HBM与下一代DRAM量产。三星将以平泽P4厂为主轴，自2025年下半年起进行大规模设备扩充投资，以提升成本竞争力。 (台湾工商时报)
06月11日 09:25 来自 台湾工商时报阅 5.55W+
《科创板日报》5日讯，SK海力士今年第一季度在全球DRAM市场的占有率首次超过三星电子。根据市场研究机构Omdia的数据，由于DRAM合同价格下跌和HBM出货量下降，第一季度全球DRAM销售额总计263.3亿美元，环比下降9%。在整体市场下滑的情况下，SK海力士的市占率从去年第四季度的36%上升到今年第一季度的36.9%，超过了三星电子，后者的市占率从38.6%降至34.4%。从销售额来看，SK海力士第一季度的销售额为97.2亿美元，而三星电子销售额为91亿美元。这是自1992年三星电子成为全球最大DRAM生产商以来，SK海力士首次占据首位。
06月05日 08:39 阅 5.79W+
财联社6月3日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价下跌，加上HBM出货规模收敛，DRAM产业营收为270.1亿美元，季减5.5%。在平均销售单价方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e产品设计，HBM产能排挤效应减弱，促使下游业者去化库存，导致多数产品合约价延续2024年第四季以来的跌势。展望2025年第二季，随着PC OEM和智能手机业者陆续完成库存去化，并积极生产整机，将带动位元采购动能升温，原厂出货位元显著季增。价格方面，预期各主要应用的合约价皆将止跌回升，预估一般型DRAM合约价，以及一般型DRAM和HBM合并的整体合约价均将上涨。
06月03日 14:09 阅 5.48W+
