HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
《科创板日报》24日讯，SK海力士表示，预期今年HBM的需求约为去年的两倍，并且向12层HBM3E的过渡也进展顺利，因此在第二季度，预计一半以上的HBM3E出货量将按照先前的计划以12层的形式出售。
04月24日 16:16 阅 5.38W+
《科创板日报》18日讯，韩媒援引三星内部消息人士称，三星原定2025年7月进行1c DRAM样品生产测试，因在重新设计过程中遭遇困难，时间表已推迟至2025年10月。三星基于1c DRAM的HBM4原计划在2025年下半年开始量产，可能也会同步延后。
04月18日 10:38 阅 7.49W+
《科创板日报》17日讯，三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%。由于该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件，良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。 (ChosunBiz)
04月17日 08:53 来自 ChosunBiz阅 5.34W+
《科创板日报》14日讯，据业内相关人士透露，由于科技巨头对HBM需求大幅增加，SK海力士近日敲定上调今年资本开支计划，从年初定下的22万亿韩元上调至29万亿韩元（约合1480亿元人民币）。SK海力士新DRAM生产基地清州M15厂的设备将于10月到厂，较原计划提前两个月，公司已通知设备供应商相关事宜。据悉，SK海力士预计将从今年开始向博通大规模供应HBM，英伟达也要求其提前交付HBM。 (The Elec)
04月14日 09:05 来自 The Elec阅 5.55W+
《科创板日报》10日讯，国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，全球半导体制造设备出货金额2024年达到1171亿美元，相较2023年的1063亿美元增长10%。其中晶圆加工设备的销售额增长了9%，其它前端细分领域的销售额增长了5%。这一增长主要得益于在先进逻辑、成熟逻辑、先进封装和高带宽存储器（HBM）产能扩张方面的投资增加，以及中国投资的大幅增长。
04月10日 17:56 阅 5.34W+
《科创板日报》9日讯，三星电子正在进行HBM3E 8层和12层产品的资格认证测试，其计划最早于本月向英伟达大量供应8层产品，并计划在今年上半年供应12层产品。 (Sedaily)
04月09日 18:35 来自 Sedaily阅 4.8W+
《科创板日报》2日讯，中国台湾ASIC厂商创意电子近日宣布成功完成HBM4控制器与PHY IP的投片。该芯片采用台积电N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装技术实现。
04月02日 09:15 阅 5.16W+
《科创板日报》2日讯，三星电子近日开始重新设计其HBM3E 12层产品，并将于5月再次接受英伟达的质量测试。此前三星电子向英伟达发送了一份HBM3E 12层样品，但在性能方面未达要求。 (nate)
04月02日 08:23 来自 nate阅 5.51W+
财联社4月1日电，韩国产业通商资源部1日公布数据，韩国3月出口额582.8亿美元，同比增长3.1%；进口额533亿美元，同比增长2.3%；贸易收支实现49.8亿美元顺差。按品目看，得益于高带宽内存（HBM）和第五代双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DDR5）等高附加值产品的需求增加，半导体出口131亿美元，同比增长11.9%，逼近2022年创下的出口纪录（131.2亿美元）。汽车出口为62亿美元，同比增长1.2%，连续两个月回升。船舶出口32亿美元，同比增长51.6%，创自2023年12月（37亿美元）以来近15个月的新高。电脑（12亿美元，33.1%）、无线通信设备（13亿美元，13.8%）、显示器（15亿美元，2.9%）等信息技术主力产品出口均实现增长。按出口目的地看，对华出口额为101亿美元，同比减少4.1%；对美出口额为111亿美元，同比增长2.3%。 (韩联社)
04月01日 14:16 来自 韩联社阅 5.77W+
财联社3月27日电，SK海力士CEO郭鲁正周四在股东大会上表示，随着多样化的人工智能生态系统的扩大，以及中国DeepSeek等新的生成型人工智能模型带来的额外需求，HBM的需求将持续增长。他预测，与2023年相比，今年HBM市场将增长9倍，企业固态硬盘（eSSD）市场将增长3.5倍。因此，SK海力士预计HBM产品在其存储芯片总销售额中的占比将从2024年的40%上升到2025年的50%以上。
03月27日 16:04 阅 5.43W+
《科创板日报》25日讯，美光宣布其用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra的SOCAMM内存模组，以及针对英伟达HGX B300 NVL16及GB300 NVL72平台打造的HBM3E 12H 36GB已量产出货。 (台湾电子时报)
03月25日 14:24 来自 台湾电子时报阅 5.4W+
《科创板日报》25日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。
03月25日 14:09 阅 5.59W+
《科创板日报》21日讯，三星电子近日在博通的8层HBM3E质量测试中表现出色。分析表明，博通理想的HBM3E速度要求正在得到满足，并且已接近进入供应链。 (Sedaily)
03月21日 13:12 来自 Sedaily阅 6.86W+
《科创板日报》20日讯，由于博通HBM订单激增，SK海力士计划比原计划提前两个月在其新M15X工厂引入设备。设备交付原定于12月进行，现已提前至10月。 (TheElec)
03月20日 14:41 来自 TheElec阅 5.29W+
财联社3月19日电，韩国半导体供应商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并在全球首次向主要客户提供其样品。SK海力士表示，公司将在下半年完成量产准备。
03月19日 09:09 阅 5.35W+
