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HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠
财联社4月19日电,三星电子据悉最早将于今年上半年向英伟达供应HBM3E,早于业界预计的第三季度末或第四季度初。据悉,样品相关的测试已进入最后阶段。 (韩国每日经济新闻)
04月19日 17:28 来自 韩国每日经济新闻7.78W+
财联社4月19日电,韩国SK海力士4月18日宣布,近期台积电签署了一份谅解备忘录,双方将合作生产下一代HBM,并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。该公司计划通过这一举措着手开发HBM4,即HBM系列的第六代产品,预计将于2026年开始量产。两家公司将首先致力于提高安装在HBM封装最底部的基础芯片的性能,并同意合作优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS技术的整合,合作应对客户对HBM的共同要求。
04月19日 08:05 6.76W+
《科创板日报》18日讯,方正证券最新研报指出,综合考虑全球CoWoS产能(估计台积电2024年CoWoS全年产出约252千片)、客户份额、单片晶圆产出的芯片颗数、以及不同AI加速芯片配备的HBM规格,预计2024年全球HBM需求量约4000万颗,容量合计约669M GB,市场规模达到91.4亿美金。其中英伟达所需的HBM占全球比重约58%,谷歌、AMD紧随其后,分别占比15%和14%,中国厂商HBM需求占比约7%。
04月18日 18:55 7.2W+
财联社4月18日电,中信证券研报认为,在AI大模型时代云端、终端算力双重爆发的带动下,存储行业将从涨价修复周期转向技术成长共振的新周期。云端角度,HBM高带宽特性能够满足AI算力芯片高速传输需求,与AI算力规模快速扩容相辅相成,带动TSV、2.5D封装(CoWoS)需求;此外企业级内存条和SSD需求亦同步攀升。终端角度,端侧大模型落地带动SoC算力提升,内存作为算力的核心配套,对其规格、容量均提出更高的要求。对于新型存储HBM,公司建议关注布局先进封装的封测厂商、半导体设备厂商;对于传统存储DRAM/NAND Flash,公司建议关注受益DDR5渗透的内存配套芯片厂商,以及布局企业级内存模组的头部模组厂商。
04月18日 08:19 7.33W+
《科创板日报》16日讯,三星电子联席首席执行官庆桂显据悉拜访台积电及广达集团旗下云达。消息人士透露,庆桂显此行有两大任务,最主要是推广三星最新高频宽内存(HBM),其次是洽谈与台厂可能的AI合作,但并未涉及台韩晶圆代工竞合议题。对于传出庆桂显到访,台积电表示,不评论市场传闻。云达则在LinkedIn上发文证实庆桂显到访。据悉,庆桂显此行也参观云达与英特尔合作打造的5G Open Lab。 (台湾经济日报)
04月16日 08:46 来自 台湾经济日报6.93W+
《科创板日报》15日讯,据半导体供应链人士透露,三星电子高管3月末已秘密拜访中国台湾地区,向台积电寻求HBM合作。 (台湾电子时报)
04月15日 17:57 来自 台湾电子时报6.8W+
《科创板日报》15日讯,消息称三星电子12层HBM3E将于2024年第二季量产,并搭载于超微新一代人工智能半导体。随着HBM客户扩大至超微,三星有望加速追赶SK海力士。 (台湾电子时报)
04月15日 12:47 来自 台湾电子时报7.22W+
《科创板日报》7日讯,三星电子使用混合键合技术制造出16层HBM样品,并确认运行正常。三星电子表示,批量生产可能需要时间,但这是正常的;(该样品)使用了HBM3,但公司计划准备在未来使用HBM4改进批量生产。”
04月07日 13:46 7.47W+
《科创板日报》28日讯,韩国经济日报3月28日消息,三星电子高管在“Memcon 2024”全球半导体大会上表示,预计三星今年的HBM芯片产量将比去年增加2.9倍,高于该公司今年年初在CES 2024上给出的预测。
03月28日 15:30 6.93W+
《科创板日报》28日讯,日前在全球芯片制造商聚会Memcon2024 上,三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong表示,预计该公司将增加HBM芯片产量,今年产量是去年的2.9倍。三星今年年初在CES 2024上给出的预测为2.5倍。三星预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍;到2028年,HBM年产量将进一步增至2023年水平的23.1倍。
03月28日 13:19 6.47W+
财联社3月27日电,SK海力士CEO郭鲁正3月27日表示,预计用于AI芯片组的HBM芯片在公司DRAM芯片销售中所占比重将从去年的个位数上升至今年的两位数。郭鲁正另外就“SK海力士拟投资约40亿美元,在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂”的媒体报道回应称,工厂最终选址仍在慎重研究中,尚未做出决定,将于今年内完成选址工作。
03月27日 14:22 7.01W+
《科创板日报》25日讯,据韩国alphabiz消息,英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E,后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC 2024中,黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)"的签名。SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品,但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。
03月25日 10:27 7.69W+
《科创板日报》21日讯,据悉,SK海力士第六代高频宽记忆体(HBM)HBM4速度较第五代HBM3E提升40%,耗电量仅是HBM3E的70%。 (台湾电子时报)
03月21日 16:44 来自 台湾电子时报6.91W+
《科创板日报》21日讯,三星电子 DS(设备解决方案)部门负责人庆桂显宣布,三星电子计划今年底明年初推出采用LPDDR内存的AI芯片Mach-1。Mach-1芯片已完成基于FPGA的技术验证,正处于SoC设计阶段。该AI芯片将于今年底完成制造过程,明年初推出基于其的AI系统。Mach-1芯片基于非传统结构,可将片外内存与计算芯片间的瓶颈降低至现有AI芯片的1/8。此外,其无需现在紧俏而昂贵的HBM内存,而是选用了LPDDR内存。 (Sedaily)
03月21日 14:21 来自 Sedaily6.83W+
《科创板日报》21日讯,美光科技CEO Sanjay Mehrotra周三在财报电话会议上表示,AI服务器需求正推动HBM、DDR5和数据中心SSD快速成长。其中,美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额,HBM营收预料自2024会计年度第三季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。Mehrotra表示,美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。另外预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。
03月21日 09:54 6.96W+
财联社3月20日电,据日经新闻报道,英伟达寻求从三星购买HBM芯片。
03月20日 10:09 6.93W+
①三星半导体业务负责人宣布,三星在美国和韩国成立AGI(通用人工智能)计算实验室,专注于研发“为满足未来AGI处理需求而设计的芯片”;
②为了开发能够大幅降低LLM运行所需功耗的芯片,三星正在重新审视芯片架构的各个方面,包括内存设计、轻量化模型优化、高速互连、先进封装等。
03月19日 16:11 来自 财联社 刘蕊1.33W+
财联社3月19日电,SK海力士3月19日在一份声明中表示,公司已开始量产高带宽内存产品HBM3E,将从本月下旬起向客户供货。
03月19日 09:25 7.35W+
《科创板日报》18日讯,由于HBM售价高昂、获利高,进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。
03月18日 14:25 7.4W+
财联社3月14日电,韩国科学技术信息通信部14日发布的初步核实数据显示,韩国2月信息通信技术(ICT)出口额为165.3亿美元,同比增长29.1%,连续两个月增幅超过20%。据分析,人工智能(AI)市场迅猛膨胀,推动相关的芯片行业保持良好增长态势,从而带动整体ICT市场出口规模扩大。具体来看,半导体出口额为99.6亿美元,同比激增62.9%,连续4个月保持两位数增长。得益于固定交易价格调涨,以及高带宽存储器(HBM)等高附加值产品需求增加,存储芯片出口额为60.8亿美元,增幅高达108.1%。系统芯片增长27.2%,为34.2亿美元。
03月14日 14:13 6.82W+
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