HBM
话题简介
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
《科创板日报》21日讯，三星上月提供给英伟达的HBM4样品已通过初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。HBM4芯片将被应用在英伟达的下一代AI加速器“Rubin”中。如果三星能顺利通过预生产阶段，他们的HBM4芯片在11月就能开始量产，从而迅速缩小与SK海力士之间的差距。 (SEDaily)
08月21日 14:46 来自 SEDaily阅 5.95W+
《科创板日报》18日讯，AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，在2025年二季度以38.2%的市场份额再度蝉联第一，并扩大了与三星的差距。 (闪存市场)
08月18日 16:42 来自 闪存市场阅 5.21W+
《科创板日报》18日讯，英伟达已启动自家HBM Base Die（逻辑层 / 底层芯片）设计计划，未来无论选择任一品牌HBM堆叠产品，Base Die都将采用英伟达自有设计方案，制程节点3nm，预估将于2027年下半年开始小量试产。 (台湾工商时报)
08月18日 13:42 来自 台湾工商时报阅 5.58W+
《科创板日报》18日讯，据闪存市场最新统计，在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL（产品生命周期终止）通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。其中，SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，二季度以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距。
08月18日 13:30 阅 5.63W+
财联社8月14日电，佰维存储近日在2025年半年度业绩交流会上表示，2025年一季度，闪迪、长存、美光等存储企业已经分别发布涨价函，个别产品的价格已经有所企稳回升。经过上半年的减产与库存去化，NAND供需失衡情况已明显改善；DRAM方面，由于三星、美光、海力士的业务重心仍在HBM等高端产品，陆续减少DDR4以及Mobile用LPDDR4X的供应，并宣布相关产品进入EOL，引发了相关产品的供应短缺，产品价格上涨。目前存储行业价格企稳回升，叠加传统旺季的备货动能，以及AI眼镜等新兴应用需求旺盛，从当前时点来看，景气度仍会持续。 (证券时报)
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08月14日 11:02 来自 证券时报阅 5.38W+
《科创板日报》1日讯，三星电子在其最新业绩电话会议上表示，对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化，预计这将暂时对市场价格产生影响。三星表示，考虑到下半年传统DRAM的价格上涨，认为未来HBM3E与传统DRAM之间的利润率差距将大幅缩小。从盈利能力优化的角度来看，短期内均衡的产品组合策略可能变得更加必要。
08月01日 13:09 阅 6.82W+
《科创板日报》31日讯，三星电子表示，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。业内人士指出，三星已针对客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。 (ZDNet)
07月31日 21:12 来自 ZDNet阅 5.55W+
财联社7月31日电，三星电子表示，下半年HBM3E芯片销售将占逾90%，已向客户提供HBM4芯片样品，下半年AI芯片需求成长将加速；下半年DRAM价格将持续上涨；HBM3E芯片供应成长速度快于需求。
07月31日 10:04 阅 5.62W+
《科创板日报》24日讯，三星电子基于10纳米级第六代1c DRAM所生产的12层第HBM4，原本计划于2025年下半年量产。最新消息指出，三星决定将量产时间推迟至2026年，并预计在2025年第3季度内，将制造出的HBM4样品交付主要客户。 (Deal Site)
07月24日 13:47 来自 Deal Site阅 5.61W+
《科创板日报》21日讯，三星已准备在本月底前向AMD和英伟达等客户提供HBM4样品。三星计划应用10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，开发更精密、良率更高的HBM4。后续三星和SK海力士都计划在下半年正式量产HBM4，并从明年起全面展开竞争。
07月21日 20:51 阅 4.93W+
《科创板日报》21日讯，业界消息称，SK海力士正在讨论扩大HBM3E 8层产品的生产规模，其出货量预计将超出最初预期。 (ZDNET Korea)
07月21日 16:51 来自 ZDNET Korea阅 5.1W+
《科创板日报》16日讯，TrendForce集邦咨询表示，美国有望允许NVIDIA（英伟达）恢复对中国市场销售H20 GPU，政策转折将有助带动当地AI与云端业者的需求回补，预期H20将重新成为该市场高端AI芯片主力，带动HBM需求同步增加。依最新形势推估，在NVIDIA可能将冲刺原定出货目标下，TrendForce集邦咨询据此调升中国AI市场外购NVIDIA、AMD（超威）等芯片比例到49%，先前考量出口禁令预估值约42%。
07月16日 17:10 阅 5.48W+
《科创板日报》7日讯，据TrendForce集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产品，并陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL)，引发市场对旧世代产品积极备货，叠加传统旺季备货动能，将推升2025年第三季一般型DRAM价格季增10%至15%，若纳入HBM，整体DRAM涨幅将季增15%至20%。
07月07日 16:01 阅 5.27W+
《科创板日报》7日讯，三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试，正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右，量产时间预计最早从今年下半年延续至明年。
07月07日 15:18 阅 5.14W+
《科创板日报》1日讯，三星DS部门负责人全永铉(Jun Young-hyun)日前访问英伟达美国总部，讨论为GB300 Blackwell Ultra提供12层HBM 3E潜在合作事宜。英伟达计划今年年底开始出货Blackwell Ultra，其已经与SK海力士和美光敲定了12层HBM3E的初步供应合同。但英伟达正在推迟敲定2026年供应量的最终合同，业内分析，若三星能成为12层HBM3E供应商，则英伟达有望在与SK海力士、美光的价格谈判中获得优势。 (Business Korea)
07月01日 16:20 来自 Business Korea阅 5.22W+
《科创板日报》1日讯，SK海力士表示，正与英特尔在大带宽、大容量内存方面合作，有望向英特尔Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4。
07月01日 15:19 阅 5.44W+
