光刻胶
话题简介
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。
《科创板日报》26日讯，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产光刻工艺中光刻胶的使用量。据消息人士透露，其已制定未来NAND的生产路线图，仅使用目前光刻胶量的一半。 (theelec)
11月26日 14:00 来自 theelec阅 5.12W+
《科创板日报》15日讯，据“中国光谷”今日消息，光谷企业近日在半导体专用光刻胶领域实现重大突破：武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。
10月15日 16:43 阅 6.88W+
《科创板日报》14日讯，硅晶圆生产商信越化学公司(Shin-Etsu Chemical)计划启动半导体制造设备业务，并已经开发出一种简化芯片封装过程的新技术。信越控制着全球约30%的晶圆市场，同时也是全球第二大光刻胶和用于形成电路图案的先进光掩模坯料生产商。 (NIKKEI)
10月14日 14:42 来自 NIKKEI阅 6.91W+
《科创板日报》10日讯，久日新材在投资者互动平台表示，大晶新材4,500吨/年光刻胶生产线尚在建设中，预计今年8月份建成，建成后会尽快组织生产，并全力加速推动光刻胶验证工作。
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07月10日 16:23 阅 6.34W+
财联社7月8日电，复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶，利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破，集成度达到特大规模集成度水平。该成果以《基于光伏纳米单元的高性能大规模集成有机光电晶体管》为题发表于《自然·纳米技术》。目前，团队还研发出具有化学传感功能、生物电传感功能的光刻胶。该研究提出了一种功能型光刻胶的结构设计策略，将有望促进高集成有机芯片领域的发展。经过多年的技术累积，团队制备的有机芯片在集成度方面已达到国际领先水平，该技术与商业微电子制造流程高度兼容，具有很好的应用前景。“我们正在积极寻求产业界合作，希望能够推动科研成果的应用转化。未来，这种材料一方面能够用于制造高集成度柔性芯片，另一方面由于其光刻兼容性，还有可能实现有机芯片与硅基芯片的功能集成，进一步拓展硅基芯片的应用。”团队负责人魏大程说。
07月08日 10:05 阅 6.98W+
《科创板日报》30日讯，SK海力士计划在第6代（1c工艺 约10nm）DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是MOR首次应用于DRAM量产工艺。消息人士称，SK海力士量产的1c DRAM上有五个极紫外 (EUV) 层，其中一层将使用MOR绘制。他还补充说，不仅SK海力士，三星电子也将追求这类无机PR材料。 (TheElec)
05月30日 08:43 来自 TheElec阅 6.99W+
《科创板日报》30日讯，三星正在考虑在其下一代DRAM极紫外（EUV）光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂（MOR）。MOR被业内认为是下一代光刻胶（PR），会接棒目前先进芯片光刻中的化学放大胶（CAR）。三星正考虑在第6代10纳米DRAM（1c DRAM）中使用MOR，主要在六层或七层上使用EUV PR，相关产品将于今年下半年投入生产。 (TheElec)
04月30日 14:05 来自 TheElec阅 8.5W+
财联社4月30日电，彤程新材宣布，ArF光刻胶已实现批量出货。这意味着，公司在光刻胶产品线上又取得了新突破。近期，部分ArF/ArFi光刻胶产品通过国内芯片厂验证，取得了规模量产订单，已开始批量供货。同时随着新产品开发及客户验证的不断深入，预计多支ArF/ArFi产品将在今年下半年逐步实现量产导入。
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04月30日 07:08 阅 8.95W+
财联社4月29日电， 光刻机、光刻胶概念震荡拉升，清溢光电、安集科技涨超15%，路维光电、强力新材、久日新材、飞凯材料等跟涨。消息面上，SEMI报告称，全球半导体预计2024年将增长6.4%，首次突破每月3000万片大关（以200mm当量计算），随着半导体生产销售的增长，有望带动半导体材料需求的增长。
04月29日 10:10 阅 5.45W+
