存储芯片
话题简介
存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用，以ASIC技术和FPGA 技术两种方式实现产品化。
《科创板日报》22日讯，据报道，受惠AI，苹果iPhone 16换机潮需求将备受期待，NAND Flash原厂积极为大客户预备产能，部分产品线已出现缺货。 (Digitimes)
07月22日 11:05 来自 Digitimes阅 7.54W+
《科创板日报》17日讯，据报道，用于手机、PC、数据中心服务器的DRAM价格涨势停歇。2024年6月份指针性产品DDR4 8Gb批发价（大宗交易价格）为每个2.10美元左右，容量较小的4Gb产品价格为每个1.62美元左右，均与上月持平，为4个月来第3度呈现持平。DRAM批发价格为存储器厂商和客户间每个月或每季度敲定一次。报道指出，DRAM批发价格未能上涨，主要是因为反映当前供需的DRAM即期价格持续呈现持平，客户对存储器厂商强势的涨价态度持抗拒姿态。即期交易敏感反映当前的供需，其占全球市场比重虽小，却是决定批发价的参考数据。 (日本经济新闻)
07月17日 16:16 来自 日本经济新闻阅 7.2W+
《科创板日报》17日讯，此前有消息称三星代工业务状况不断恶化，已暂停平泽厂晶圆代工产线建设，先行建设DRAM等内存生产线。据韩媒最新报道，三星依然看好存储器市况，减产后新产线选择投资NAND Flash。 (ET News)
07月17日 16:10 来自 ET News阅 7.26W+
《科创板日报》17日讯，消息称，随着今年存储半导体超级周期的开始，DRAM前两大公司三星和SK海力士预计将扩大与第三大公司美光科技的利润差距。市场普遍认为三星和SK海力士今年将恢复创纪录的25万亿~30万亿韩元（约1315.84亿~1579.01亿元人民币）营业利润，但美光由于在高带宽存储器（HBM）上的DRAM产能（CAPA）投入不足，预计其利润将仅为5万亿韩元（约263.17亿元人民币）左右。报道称，如果今年存储三巨头的营业利润差距扩大到20万亿韩元（约1052.67亿元人民币）以上，那么明年及以后在存储超级繁荣期，更大的差距将不可避免。 (爱集微)
07月17日 15:58 来自 爱集微阅 6.49W+
《科创板日报》11日讯，Omdia最新报告指出，对于模型推理和部署，NVMe（非易失性存储器高速）驱动器等低延迟存储可提供快速数据检索并提高实时性能。随着推理开始取得进展，Omdia预计到2028年，推理存储将以近20%的年复合增长率增长，几乎是用于LLM训练存储的四倍。
07月11日 14:24 阅 6.56W+
《科创板日报》8日讯，海通证券表示，AI+半导体驱动存储需求提升，受到HBM产能排挤，若先进制程产能扩张不足，DRAM产品恐面临供不应求。看好2024年全球先进制程产能不足情况下全年主流存储维持涨价，建议长期关注主流存储模组企业中具备存储+先进封装逻辑的企业，以及利基存储IC设计企业中符合一定涨价逻辑或具备较大国产渗透空间且与晶圆厂绑定更为紧密的存储IC企业。
07月08日 15:15 阅 7.07W+
《科创板日报》4日讯，铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品，借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约50%，写入数据时所需的电力缩减约30%。 (MoneyDJ)
07月04日 08:27 来自 MoneyDJ阅 6.75W+
财联社7月4日电，由于对人工智能(AI)技术的需求推动了存储芯片价格的反弹，预计三星电子第二季度的利润将同比增长12倍。根据LSEG SmartEstimate统计的27位分析师预估均值显示，三星电子在截至6月30日当季的营业利润可能增至8.8万亿韩元(63.4亿美元)。
07月04日 08:22 阅 6.54W+
《科创板日报》3日讯，据CFM闪存市场，近期部分厂商向原厂追加了DDR5内存条订单。目前DDR4现货与原厂价格倒挂加上下游终端库存高企，整体需求表现惨淡；DDR5方面，随着AI建设热潮加上英特尔SPR CPU渗透率提高，需求激增。预估今年下半年服务器ODM对DDR5需求升至50%，DDR5 64GB及以上需求持续火热，DDR5整体呈现供不应求市况。 (闪存市场)
07月03日 10:54 来自 闪存市场阅 6.89W+
财联社6月26日电，全志科技涨超10%，金太阳涨超5%，精测电子、大为股份、佰维存储、盈方微、万润科技、德明利等跟涨。消息面上，存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载。
06月26日 14:09 阅 6.69W+
财联社6月19日电，知情人士透露，美光科技正在美国建设先进的高带宽存储器测试生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，以抓住人工智能热潮带来的更多需求。知情人士透露，美光科技正在扩建位于爱达荷州博伊西总部的HMB相关研发设施，包括生产和验证线。他们说，该公司还在考虑在马来西亚建立HBM生产能力。 (日经新闻)
06月19日 19:55 来自 日经新闻阅 7.16W+
《科创板日报》18日讯，存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能，势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为，DDR5价格持续走扬态势明确，预期到了年底前还有10~20%涨幅，但若DDR5价格太高，反而可能拖延市场渗透率的起飞速度，影响下游客户采用的意愿。 (台湾电子时报)
06月18日 08:44 来自 台湾电子时报阅 7.16W+
财联社6月13日电，好上好3连板，古鳌科技、华虹公司、金太阳、上海贝岭、南大光电、兆易创新等跟涨。消息面上，高盛分析师公布报告预计，全球 HBM（高带宽存储芯片）市场规模将在 2023-2026 年期间以约 100% 的复合年增长率增长，并在 2026 年达到 300 亿美元，较 3 月份的预测上调 30% 以上。
06月13日 09:38 阅 7.41W+
《科创板日报》13日讯，据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。 (台湾经济日报)
06月13日 09:05 来自 台湾经济日报阅 7.55W+
财联社6月5日电，近日，有消息称，碧桂园旗下风险投资部门碧桂园创投正考虑出售存储芯片制造商长鑫存储的股权，筹资约20亿元。对此，碧桂园内部人士6月5日向记者表示，公司致力于积极探索各种策略以优化资产负债结构，包括对资产组合的审慎评估和潜在的资产处置机会。“若有任何实质性进展或具体决策，我们将按照相关规定，及时向市场披露。”该人士称。 (中国基金报)
06月05日 20:14 来自 中国基金报阅 6.48W+
