存储芯片
话题简介
存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用,以ASIC技术和FPGA 技术两种方式实现产品化。
《科创板日报》4日讯,三星电子计划于本月第四周开始在“NRD-K”项目引进设备,预计将加速下一代存储器的开发,特别是1d DRAM和V11、V12 NAND。NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研发综合体,尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。 (闪存市场)
4小时前 来自 闪存市场阅 3.31W+
财联社11月1日电,合肥海恒控股集团有限公司10月25日在上海证券交易所成功发行全国首单科技成果转化债,募集资金7亿元,聚焦科技成果转化,重点投向集成电路领域的新型存储芯片制造技术研发项目及存储芯片自主研发制造的某国家级战略项目,旨在在中试熟化和成果产业化两个阶段加大投入,助力新型存储芯片实现技术产业化,助力DRAM领域技术成果实现产业化转化。
11月01日 14:26 阅 9.2W+
财联社10月31日电,韩国半导体产量一年多来首次同比下降,这是全球人工智能发展推动的繁荣周期可能开始降温的另一个迹象。根据政府统计部门周四发布的数据,9月全国半导体产量下滑3%,此前一个月增长11%。出货量增速也从8月的17%降至0.7%。不过,库存水平显示库存仍在快速消耗,9月同比下降41.5%。这些数字显示,随着存储芯片需求见顶,该行业可能正在逐渐降温。 (彭博)
10月31日 10:44 来自 彭博阅 7.7W+
《科创板日报》29日讯,模组厂预期,第四季度仅eSSD与HBM产品出货量和价格增加,其他存储产品如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于消费性产品如手机及PC将与需求持平,仅服务器相关需求持续走强。 (台湾工商时报)
10月29日 14:18 来自 台湾工商时报阅 6.03W+
《科创板日报》22日讯,三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM(第六代10纳米级DRAM)量产线,三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片,并计划于明年底发布。 (ZDNet)
10月22日 10:54 来自 ZDNet阅 6.57W+
《科创板日报》22日讯,由于PC、智能手机需求不振,用于暂时储存数据的DRAM价格1年5个月来首次下跌,2024年9月指标性产品DDR4 8GB批发价为每个2.04美元左右,容量较小的4GB产品价格为每个1.57美元左右,两者均较前一个月份环比下跌3%。 (日经新闻)
10月22日 08:57 来自 日经新闻阅 6.66W+
《科创板日报》15日讯,根据TrendForce集邦咨询最新调查,NAND Flash产品受2024年下半年旺季不旺影响,wafer合约价于第三季率先下跌,预期第四季跌幅将扩大至10%以上。模组产品部分,除了Enterprise SSD因订单动能支撑,有望于第四季小涨0%至5%;PC SSD及UFS因买家的终端产品销售不如预期,采购策略更加保守。TrendForce预估,第四季NAND Flash产品整体合约价将出现季减3%至8%的情况。
10月15日 13:44 阅 7.02W+
《科创板日报》19日讯,摩根士丹利最新报告直言存储器市场“寒冬将至”,DRAM市场恐从周期性高峰回落,预期最快将于四季度反转向下,开始面临供过于求压力,不仅接下来市况(订单、价格)更具挑战,供过于求问题更会一路延续至2026年。 (台湾经济日报)
09月19日 08:25 来自 台湾经济日报阅 6.69W+
《科创板日报》18日讯,美光近日推出Crucial P310 2280 Gen4 NVMe SSD,其性能比Gen3 SSD快两倍,可满足个人电脑、笔记本电脑和PlayStation 5的需求。 (闪存市场)
09月18日 14:31 来自 闪存市场阅 7.09W+
《科创板日报》11日讯,SK海力士宣布已成功开发出适用于数据中心的高性能固态硬盘PEB110 E1.S,这款新一代SSD基于已获得最高性能认证的238层NAND闪存,采用第五代PCIe技术,其带宽是现有第四代(Gen4)的两倍,数据传输速度达到了32GT/s。 (韩国IT时报)
09月11日 12:00 来自 韩国IT时报阅 7.37W+
《科创板日报》29日讯,TrendForce最新报告显示,2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash(闪存)零售渠道的出货量已大幅年减40%,下滑明显超出市场预期,这预示着下半年的需求不会大幅回温。TrendForce表示,从2025年的情况来看,虽然预期DRAM价格会逐季上扬,但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价,以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软,DRAM价格上涨的幅度将低于预期。
08月29日 13:55 阅 3.73W+
《科创板日报》14日讯,在AI服务器出货大幅增长的推动下,eSSD、DDR5 RDIMM和HBM需求稳定提升,带动原厂NAND Flash和DRAM ASP逐季上涨。据CFM闪存市场数据显示,2024年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长18.6%至180.0亿美元,DRAM市场规模环比增加24.9%至234.2亿美元。全球存储市场规模二季度环比增长22.1%至414.2亿美元,同比大增108.7%。 (闪存市场)
08月14日 10:51 来自 闪存市场阅 6.78W+
《科创板日报》13日讯,据业内人士透露,SK海力士正在提高利川M16工厂的DRAM产能。公司已经向主要设备供应商订购核心设备,预计设备将从今年Q4开始供货,明年初开始增加产能。 (Chosun Biz)
08月13日 13:39 来自 Chosun Biz阅 7.46W+