存储器
话题简介
手机、大数据、AI 和数据中心等新兴市场的崛起，为DRAM带来了巨大的增长空间。根据IC Insights在今年7月发布的IC产品市场排名报告显示，在2019年所有IC产品中，DRAM市场仍将成为最大的类别，其销售额将达到620亿美元。
《科创板日报》16日讯，日本NAND Flash大厂铠侠表示，目标在2030-2031年量产1000层以上的3D NAND。 另外，铠侠也正在发展储存级存储器技术，希望建立NAND之后的下一个成长支柱。 (台湾电子时报)
04月16日 09:17 来自 台湾电子时报阅 6.95W+
《科创板日报》9日讯，嵌入PC的存储设备价格上涨趋势越来越强劲。固态硬盘（SSD）1~3月大宗交易价格比上季度高出1成，连续两个季度上涨。缩减供应的存储器厂商为了改善盈利而提出涨价，需求方接受了这一要求。还出现了因看涨价格而提前采购SSD的动向。大型存储器厂商表明今后仍计划涨价。一家电子商社高管指出，“与降价前的2021年夏季左右相比，价格水平仍相当便宜。存储器厂商还需要持续改善盈利”。买家为了不影响将来采购，基本都接受涨价。一家PC厂商的采购负责人表示，“各存储器厂商都处于亏损状态，只能接受涨价”。根据卖方的涨价要求，已确定连续2个季度涨价。 (日经新闻)
04月09日 10:37 来自 日经新闻阅 7.07W+
《科创板日报》8日讯，存储供应链指出，继中国台湾地震后，三家DRAM大厂先后宣布暂停报价。除了DRAM主要产能落脚于台湾的美光之外，SK海力士、三星电子等均跟进暂停报价，以观望后续产能供给影响，连带存储器模组业者也随后停止报价。业界分析，基于近来存储器原厂持续拉抬价格的态度，如今三家原厂停止报价将可能成为涨价讯号，预料影响性将在近日内显现，并牵动第二季度合约价走势。 (台湾电子时报)
04月08日 08:19 来自 台湾电子时报阅 7.3W+
《科创板日报》3日讯，今日中国台湾地区突发7.3级地震，TrendForce指出，存储器行业中，由于美光DRAM产能主要集中在中国台湾地区，因此该公司率先停止DRAM报价，灾后的损失评估后再度启动2024年Q2合约价谈判。除此之外，三星、SK海力士也跟进停止报价，尽管两大供应商并没有DRAM生产位于台湾地区，但也希望观望后市后再行动。存储器现货市场的DRAM与NAND Flash并未在今日产生剧烈波动，整体仅限小幅上涨格局，买气仍然清淡。TrendForce预计，短期DRAM现货价格会有小幅涨幅，但需求疲弱态势不变，涨价的延续性有待观察。同时，因为DRAM供应商目前大致处于停止报价阶段，模组厂也已在今日跟进停止报价。
04月03日 18:10 阅 9.3W+
《科创板日报》2日讯，存储现货行情仍以资源导向为主，由于原厂good die资源持续上行，512Gb NAND Flash Wafer涨至4美元以上，使得锁BOM的行业SSD不得不跟随成本上涨，资源供应有限的嵌入式高容量Flash和LPDDR持续上调。现货渠道普遍处于倒挂阶段，近期渠道SSD和内存行情高位盘整小幅波动。在下游消费需求被快速上涨的价格限制时，服务器备货需求正出现升温势头，对存储涨价接受度也较高，令保利润的原厂将供应重心聚焦于服务器市场。 (闪存市场)
04月02日 13:31 来自 闪存市场阅 6.65W+
《科创板日报》1日讯，存储器现货价从2023年下半一路上涨，虽然DRAM涨幅不如NAND Flash强劲，大致仍呈现逐月稳定调升的走势，然终端销售需求未见好转，代理端备货需求放缓，DRAM现货价反转下滑，为后续调涨动能带来变量。供应链预期，在供给端强势主导下，存储器价格下跌不易，合约价将持续上涨，虽然原厂希望调高第二季涨幅至10~15%，但经过买卖双方拉锯，预料第二至三季单季涨幅约落在3~8%。 (台湾电子时报)
04月01日 08:46 来自 台湾电子时报阅 7.57W+
《科创板日报》21日讯，意法半导体宣布与三星联合推出18nm FD-SOI工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。意法半导体表示，相较于其现在使用的40nm eNVM技术，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺大幅提升了性能参数，其在能效上提升了50%，数字密度上提升了3倍。
03月21日 14:04 阅 7.01W+
《科创板日报》18日讯，由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。
03月18日 14:25 阅 7.4W+
