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存储器
话题简介
手机、大数据、AI 和数据中心等新兴市场的崛起,为DRAM带来了巨大的增长空间。根据IC Insights在今年7月发布的IC产品市场排名报告显示,在2019年所有IC产品中,DRAM市场仍将成为最大的类别,其销售额将达到620亿美元。
财联社9月23日电,近日,多家媒体报道称,存储芯片价格已触底反弹,三星等国际大厂已开启涨价。记者多方采访获悉,在铠侠、美光等国际存储大厂持续减产的背景下,存储芯片供给减量,主要存储厂开始向下游发出四季度合约涨价通知。当前,涨价预期主要集中在DRAM(动态随机存取存储器)芯片领域,NAND(闪存)存储芯片由于渠道库存依然较高,尚没有涨价空间。多家A股公司也告诉记者,公司NAND产品没有涨价,也没法涨价。事实上,在经历长达五个季度的调整后,整个存储行业已存在触底反弹的预期,或只差一个现象级应用的催化。 (上证报)
09月23日 07:48 来自 上证报8.43W+
①三场主题演讲紧扣“智能”二字,智能世界基础设施建设和AI生态建设被视作华为智能化的“双翼”;
②华为表示,缺数据,无AI,还将智能机器人视作“下一个AI浪潮”;
③多家A股上市公司是本次会议的合作伙伴或参会方。
09月19日 16:08 来自 科创板日报 宋子乔1.59W+
《科创板日报》19日讯,存储器大厂通过主动减产及控制产出,拉动产业对价格调涨的预期心态,尽管2023年下半国内消费性市场需求并不乐观,但面对即将到来的十一及双十一促销档期,模块业者称,近期现货价接连上涨,终端代理及代理商较有意愿恢复拉货,提升库存周转流动,高端DDR4可望保值。 (台湾电子时报)
09月19日 10:54 来自 台湾电子时报7.76W+
《科创板日报》18日讯,业内人士称,NAND Wafer报价从第三季起涨,业界预期9月后减产效应更为明朗,存储器原厂可望从第四季启动涨价攻势。 至于DRAM涨幅是否比照NAND强劲调涨的模式,由于终端市场需求尚未明显复苏,涨价走势可能将较为缓和。 (台湾电子时报)
09月18日 09:09 来自 台湾电子时报7.71W+
①业内人士预期最快今年底的DDR4市场报价将开始拉升;
②三星电子存储部门副总裁Hwang Sang-jun表示,今年Q4存储供应商将迎来更多的需求。
09月15日 13:55 来自 科创板日报 邱思雨2.48W+
《科创板日报》13日讯,据韩媒消息,随着三星电子、SK海力士等存储厂商削减NAND产量,今年下半年韩国半导体材料企业陷入疲软。业内人士透露,韩国部分NAND材料公司的供应量较去年减少50%以上,部分材料公司甚至停止工厂运营以应对NAND减产。 (The Elec)
09月13日 13:38 来自 The Elec7.53W+
①小米、OPPO及谷歌等均已签署该内存供货协议。
②韩国内存芯片厂商已决定提高其最新芯片的价格,涨价可能会持续到四季度。
②上游多家原厂已拉高晶圆合约价,终端开始抢货,消费性SSD、存储卡,手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬。
09月13日 09:12 来自 科创板日报 郑远方2.14W+
①模组与智能手机客户需求增强,部分客户甚至接受了30%至35%的价格上涨。
②金士顿还表示,由于产品价格便宜,从8月起拒绝客户降价,并会重建部分NAND库存。
③券商预计,随着下半年手机新品陆续发布、PC需求复苏,原厂出货压力将逐步缓解,NAND Flash调整周期尾声将至。
09月06日 15:24 来自 科创板日报 郑远方1.6W+
①机构指出,需求方因预期价格反弹,正在增加DDR5产品的库存。
②英特尔新一代消费型笔电平台Meteor Lake预计第四季度问世,搭载的DRAM由DDR4升级为DDR5,这也宣告着DDR5时代终于来临。
③美光、三星、SK海力士均展开筹备,计划在第四季度全面拉高DDR5产能。
09月04日 15:29 来自 科创板日报 郑远方1.97W+
《科创板日报》4日讯,据Business Korea近日报道,最新DRAM规格DDR5开始出现价格反弹。市场研究公司DRAM Exchange统计,最新的DRAM规格DDR5,16Gb(2Gx8)固定成交价平均为3.40美元,较上月3.17美元的价格上涨7.26%。据分析,由于供应商在价格谈判中态度强硬,需求方企业也接受了小幅提价。
09月04日 14:41 7.11W+
《科创板日报》4日讯,英特尔新一代消费型笔电平台Meteor Lake预计第四季问世,搭载的DRAM由目前主流DDR4升级为DDR5。 业界看好,英特尔新平台宣告DDR5时代来临,有望扭转存储器市况长期低迷,南亚科、威刚、十铨、宜鼎等DRAM产业链受益。其中,南亚科规划,旗下1B制程将锁定推出8Gb DDR5及LP DDR4 DRAM,前者预估明年中开始生产,主要供应服务器市场。 威刚、十铨明年起DDR5 DRAM模组出货动能有机会全面攀升,使营运重回成长轨道。 (台湾经济日报)
09月04日 10:45 来自 台湾经济日报6.98W+
①就在8月31日,三星刚刚通过英伟达的HBM3最终质量检测,并签订供应合同。三星最早将从下个月起,向英伟达供应HBM3。
②受此消息提振,三星在首尔交易所今日大涨,涨幅超过6%。
09月01日 15:28 来自 科创板日报 郑远方2.02W+
①8月下旬NAND Flash原厂与部分模组厂议定新一笔晶圆订单,并成功拉抬512Gb晶圆合约价,涨幅约10%,其他原厂也跟进将同级产品价格提升。
②模组厂近期纷纷酝酿调涨终端产品, Kingston、Phison等回归官方价格进行交易,不再开放客户另议以低价成交。
09月01日 10:20 来自 科创板日报 郑远方2.61W+
《科创板日报》30日讯,SK海力士在高带宽存储器(HBM)和300层NAND闪存芯片的生产技术上取得突破后,正在加速开发采用高NA(数值孔径)制造工艺的下一代DRAM,定于2024年试生产。 (台湾电子时报)
08月30日 15:33 来自 台湾电子时报3.87W+
《科创板日报》30日讯,TrendForce表示,预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续,尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估2024上半年,消费电子市场需求能见度仍不明朗,通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤、显得相对需求疲弱,有鉴于2023年基期已低,加上部分存储器产品价格已来到相对低点,预估DRAM及NAND Flash需求位元同比增幅分别有13.0%及16.0%。不过,尽管需求位元有回升,明年若要有效去化库存,并回到供需平衡状态,重点还是仰赖供应商对于产能有所节制,若供应商产能控制得宜,存储器均价则有机会反弹。
08月30日 12:06 4.95W+
《科创板日报》30日讯,据TheElec援引消息人士,三星电子在Hot Chips 2023中分别公开了高带宽存储器(HBM)-处理内存(PIM)、LPDDR-PIM研究成果。三星电子表示,如果将HBM-PIM应用于生成型AI,处理器的性能和功效将比现有的HBM提高2倍以上。
08月30日 08:41 5.75W+
①Meta已在AI服务器上投入巨资,要求公司额外供应高性能、高效率的DDR服务器DRAM;
②英伟达或将与公司讨论HBM的供应问题;
③在AI服务器需求推动下,该公司Q2 HBM及DDR5/LPDDR5出货量高于预期,且ASP提升。
08月29日 13:22 来自 科创板日报 郑远方7715
①三星下令暂停存储芯片第六代V-NAND成熟型制程报价,低于1.6美元者全面停止出货;
②在NAND Flash调涨趋势下,大陆存储模组厂近日暂停报价及接单,将配合原厂报价调高8%-10%;
③买方仍在观望,涨价效应有待继续观察,特别是主流存储芯片报价上涨时间可能有所延后。
08月18日 10:05 来自 科创板日报 郑远方1.9W+
《科创板日报》16日讯,由于人工智能引发的对高带宽内存(HBM)和DDR5的需求,DRAM市场出现了一些显著的增长势头。消息人士称,但NAND闪存市场并没有从生成式人工智能中获得太多提振,终端设备市场对任何可以加速库存调整过程的应用都没有显著需求,并补充称NAND闪存价格预计将在较长一段时间内保持在低点。 (台湾电子时报)
08月16日 13:54 来自 台湾电子时报7.3W+
《科创板日报》16日讯,根据SEMI与TechInsights合作的报告,随着IC销售额环比下降趋势开始缓和,全球半导体行业似乎正在接近衰退周期的尾声,并预计将在2024年开始复苏。预计到2023年第三季度,电子产品销售将环比增长10%,而存储器集成电路销售预计将自2022年第三季度以来首次实现两位数增长。逻辑集成电路销售预计将保持稳定,并随着需求逐渐恢复而改善。
08月16日 11:03 7.47W+
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