存储器
话题简介
手机、大数据、AI 和数据中心等新兴市场的崛起，为DRAM带来了巨大的增长空间。根据IC Insights在今年7月发布的IC产品市场排名报告显示，在2019年所有IC产品中，DRAM市场仍将成为最大的类别，其销售额将达到620亿美元。
《科创板日报》26日讯，随着HBM高价产品贡献获利的快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去两年，三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第三季NAND Flash或微幅供过于求，而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。 (台湾电子时报)
07月26日 09:54 来自 台湾电子时报阅 7.51W+
《科创板日报》22日讯，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM（内存）及NAND Flash（闪存）产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，只是存储器买方成本压力将随之上升。
07月22日 16:16 阅 7.18W+
《科创板日报》19日讯，德国亥姆霍兹-德累斯顿-罗森多夫中心、开姆尼茨工业大学、德累斯顿工业大学和于利希工业中心联合团队合作开发出一种超材料，材料中的圆柱域不仅可存储单个比特，还可存储整个比特序列。发表在最新《先进电子材料》的这一成果，为研发新型数据存储器和传感器、神经网络的磁性变体铺平道路。 (科技日报)
07月19日 08:19 来自 科技日报阅 8.5W+
《科创板日报》9日讯，第二季消费性电子需求疲弱，终端市场持续处于库存去化阶段，存储器模块厂普遍感受到买气冷清，包括威刚、广颖、宇瞻等6月合并营收均呈现下滑，十铨的B2B专案则逆势拉升营收创下新高纪录。上游原厂和代理端均预期，DRAM现货止跌迹象显现，第三季合约价格将延续调涨。 (台湾电子时报)
07月09日 08:41 来自 台湾电子时报阅 5.85W+
财联社7月4日电，据三星内部公告，三星电子将在2024年上半年向其半导体部门员工支付最高相当于基本工资75%的奖金。三星半导体业务的设备解决方案（DS）部门已公布的奖金额度为基本月薪的37.5-75%，其中存储器部门75%，晶圆代工部门37.5%，系统LSI部门37.5%，半导体研究中心75%。
07月04日 22:13 阅 6.39W+
财联社7月4日电，美国国际贸易委员会（ITC）7月3日投票决定对特定存储设备及其下游电子设备（Certain Memory Devices and Electronic Devices Containing the Same）启动337调查（调查编码：337-TA-1406）。美国Micron Technology Inc.、美国Hewlett Packard Enterprise Co.、美国HP, Inc.、美国Kingston Technology Company, Inc.、中国香港Lenovo Group Limited、美国Lenovo (United States) Inc.、美国Tesla Inc.为列名被告。美国国际贸易委员会将于立案后45天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外，美国国际贸易委员会在337案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第60日起具有终局效力。
07月04日 14:54 阅 7.15W+
《科创板日报》1日讯，存储器价格进入拉锯战，尽管业界对于原厂延续涨价的态度已取得共识，但受限于终端需求不佳，买卖双方对于涨幅仍处于拉锯中，业界指出，现货市场库存去化可望于7~8月陆续告一段落，届时存储器原厂的季底结算即将来临，预料价格协商会在8月达成共识。
07月01日 16:38 阅 6.56W+
《科创板日报》26日讯，半导体存储器DRAM的大宗交易价格上涨。截至5月，指标产品环比上涨了8%。随着用于生成式AI的新一代产品需求出现激增，存储器企业对普通产品也进行了强势提价。一家日本电子产品贸易商指出：“HBM供应跟不上需求，供应量出现短缺”。大型存储器企业表示，“我们强势要求客户在采购HBM之际高价购买普通DRAM，最终买方接受”。 (日经)
06月26日 14:07 来自 日经阅 7.1W+
《科创板日报》25日讯，为应对AI热潮带动的存储器需求，三星电子决定重启新平泽工厂（P5）基础建设，预计最快将于2024第三季重启建设，完工时间推估为2027年4月，不过实际投产时间可能更早。 (台湾电子时报)
06月25日 08:20 来自 台湾电子时报阅 7.5W+
《科创板日报》21日讯，存储器产业需求复苏，消息称，存储厂商华邦电第二季利基型存储器价格调升约两成，高雄厂及台中厂的产能利用率均已回归，带动第二季获利显着改善，并弥补首季亏损。 预计下半年传统旺季推升营运增温，相较上半年呈双位数增长。 (台湾电子时报)
06月21日 13:58 来自 台湾电子时报阅 9.74W+
《科创板日报》17日讯，据三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。 (kedglobal)
06月17日 18:03 来自 kedglobal阅 6.88W+
《科创板日报》13日讯，据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。 (台湾经济日报)
06月13日 09:05 来自 台湾经济日报阅 7.55W+
《科创板日报》12日讯，记忆体价格经历半年大幅上涨，且通端客户库存逐步回补完成，加上终端需求复苏较预期缓慢，市场法人预期，2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言，中长线供需仍乐观，主要是在AI发展趋势下，将大量消耗高带宽记忆体（ HBM）产能。 (台湾工商时报)
06月12日 10:38 来自 台湾工商时报阅 6.64W+
《科创板日报》6日讯，消息称，消费性市场需求第二季表现平淡，但存储器模块厂5月营收维持强劲的年增率表现，看好AI带动终端应用换机潮，而存储器价格可望持续走扬，DRAM现货价将从8月后与合约价回归齐涨模式，下半年营运乐观成长。 (台湾电子时报)
06月06日 20:35 来自 台湾电子时报阅 7.16W+
《科创板日报》3日讯，受到终端消费需求疲弱，存储器现货市场5月价格显露疲态，DDR产品、Flash wafer及SSD应用等均呈现下滑，尤其是主流DDR4受到库存调整压力，单月跌价较大，而高端DDR5模块跌幅则相对缓和。 (台湾电子时报)
06月03日 14:34 来自 台湾电子时报阅 7.08W+
《科创板日报》31日讯，存储器模块厂威刚董事长陈立白表示，DRAM合约市场价格稳定上涨，现货市场虽然短期出现调整现象，但对下半年DRAM价格无须担心，预料将逐季往上拉。 (台湾电子时报)
05月31日 08:52 来自 台湾电子时报阅 7.95W+
