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存储器
话题简介
手机、大数据、AI 和数据中心等新兴市场的崛起,为DRAM带来了巨大的增长空间。根据IC Insights在今年7月发布的IC产品市场排名报告显示,在2019年所有IC产品中,DRAM市场仍将成为最大的类别,其销售额将达到620亿美元。
①有分析师表示,SK海力士的HBM产能在2024年已被预订满;
②HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本,为当下最强大的HBM产品;
③HBM3E领域,美光、三星紧追不舍。
5小时前 来自 科创板日报 宋子乔7093
《科创板日报》18日讯,由于HBM售价高昂、获利高,进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。
03月18日 14:25 7.4W+
①从了解的整体情况看,A股上市公司中,中电兴发、易华录、信息发展等均在公司产品中应用磁光电混合存储技术,但或与华为提及的磁电存储存在技术差异;
②业内表示,华为磁电存储或是利用磁电耦合效应实现电场驱动磁翻转。但磁电存储是新技术方案,暂不是行业统一规范,其具体内涵与外延有待明确。
03月14日 19:33 来自 科创板日报记者 黄修眉1.61W+
财联社3月14日电,韩国科学技术信息通信部14日发布的初步核实数据显示,韩国2月信息通信技术(ICT)出口额为165.3亿美元,同比增长29.1%,连续两个月增幅超过20%。据分析,人工智能(AI)市场迅猛膨胀,推动相关的芯片行业保持良好增长态势,从而带动整体ICT市场出口规模扩大。具体来看,半导体出口额为99.6亿美元,同比激增62.9%,连续4个月保持两位数增长。得益于固定交易价格调涨,以及高带宽存储器(HBM)等高附加值产品需求增加,存储芯片出口额为60.8亿美元,增幅高达108.1%。系统芯片增长27.2%,为34.2亿美元。
03月14日 14:13 6.82W+
①业内人士表示,NAND的临时交易价格持续上涨,市场仍弥漫着减产带来的担忧,客户正急于确保供应;
②自去年10月起,NAND价格持续反弹,已连续五个月上涨。
03月14日 09:31 来自 科创板日报 邱思雨2.45W+
《科创板日报》13日讯,Meta谈到GPU、存储器、网通服务器、软件等各方面条件,表示将用来训练Llama 3等模型。 其推出两组包含24,576 GPUs的运算丛集,并预计2024年底前取得共35万张H100。 (台湾电子时报)
03月13日 19:04 来自 台湾电子时报7.73W+
《科创板日报》13日讯,据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,目前2024年HBM市场主流为HBM3,英伟达新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。AI需求高涨,目前英伟达以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏,除了CoWoS是供应瓶颈,HBM亦同。吴雅婷表示,目前英伟达现有主攻H100的存储器解决方案为HBM3,SK海力士是最主要供应商,然而供应不足以应付整体AI市场所需。2024年第一季,三星HBM3产品也陆续通过AMD MI300系列验证,其中包含其8h与12h产品,故自2024年第一季以后,三星HBM3产品将会逐渐放量。
03月13日 14:32 7.23W+
①三星西安NAND厂开工率已恢复至70%左右,该厂产能占三星NAND总产量40%;铠侠NAND厂利用率也将恢复到90%。
②机构指出,Q1 NAND合约价平均涨幅达25%,预估产业营收有望环比增长两成。
③NAND涨价很大一部分原因在于原厂减产,因此有人担心增产或将导致价格恶化。
03月12日 10:59 来自 科创板日报 郑远方1.38W+
《科创板日报》12日讯,三星电子位于中国西安的NAND闪存厂开工率恢复到了70%左右。西安厂是三星电子唯一的海外存储器生产基地。此前,三星为了应对存储器行业状况恶化,去年下半年将该厂的开工率降低到了20~30%。 (The Elec)
03月12日 08:42 来自 The Elec7.14W+
《科创板日报》11日讯,据科技媒体ZDNET Korea报道,业界消息称,国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米(μm),比上一代的720微米更厚。据悉,该协议预计将对三星电子、SK海力士、美光等主要内存制造商的未来封装投资趋势产生重大影响。如果封装厚度为775微米,使用现有的键合技术就可以充分实现16层DRAM堆叠HBM4。考虑到混合键合的投资成本巨大,存储器公司很可能将重点放在升级现有键合技术上。
03月11日 09:03 7.05W+
《科创板日报》8日讯,生成式AI需求带动存储器产业加速复苏,上游原厂陆续恢复增产及提高稼动率,DDR5成为增产重点,业界估计,DDR5将可望从第二季进入供需平衡。 虽然下半年产能持续开出,但由于DDR5渗透率快速提升,终端需求可望消化产能增加,带动整体渗透率从个位数比重进入双位数。 (台湾电子时报)
03月08日 09:23 来自 台湾电子时报9.17W+
①AI端侧落地加速,三星手机销量破纪录,分析预计2024年全球端侧AI智能设备出货规模预期1.7亿台规模;②AI落地C端向上游元件供应商带来机遇与挑战,业内表示传感器、存储、算力等细分领域都亟待进一步发展。
03月07日 19:40 来自 财联社记者 王碧微1.49W+
《科创板日报》7日讯,SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出,希望能更多地满足人工智能(AI)开发中关键组件HBM(高带宽存储器)不断增长的需求。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长表示,公司正在韩国投资超过10亿美元,以扩大和改进其芯片封装。虽然SK海力士尚未披露今年的资本支出预算,但分析师平均估计该数字约为105亿美元。 (彭博)
03月07日 14:42 来自 彭博7.62W+
《科创板日报》5日讯,摩根大通(小摩)近日发布存储市场报告,表示在美光宣布开始大规模生产用于英伟达H200的高带宽存储器(HBM)后,HBM3E的竞争格局正在加剧。摩根大通预计,三星电子及SK海力士HBM3E时间表与预期大致相符,并且估计当前HBM市场规模没有实质性的变化。摩根大通预计韩国内存制造商将继续在HBM市场上领先,2024年市场份额分别为SK海力士48%,三星44%,在2025年进一步演变为SK海力士47%,三星45%的市场份额。
03月05日 10:43 6.99W+
《科创板日报》5日讯,存储器厂商南亚科总经理李培瑛指出,HBM目前产品溢价较高,确实存储器厂商的营收会有贡献,营收贡献约达10%,但占全球DRAM位元数仅约2%,以南亚科在全球DRAM市占率约2%来说,现阶段不见得适合南亚科投入大量资源去争夺。南亚科预计,8Gb DDR4与16Gb DDR5产品在2024年导入生产,预期2024年底1B制程的月产能有机会推展到1.6万~2万片,TSV机台在2024年底导入后,高密度RDIMM将力拼2025年第三季、第四季前量产。 (台湾电子时报)
03月05日 09:03 来自 台湾电子时报7.33W+
①随着AI在各类领域的应用延伸,手机、服务器、PC中DRAM和NAND单机平均搭载容量均有增长;
②业界给出了乐观的大势预判,但存储行业各产品线区别较大,且均存在终端需求修复不及预期的担忧。
03月04日 10:56 来自 科创板日报 宋子乔1.55W+
《科创板日报》4日讯,存储器价格涨势有望持续,农历春节假期导致市场观望气氛浓厚,DRAM及NAND Wafer现货市场价格涨势较为趋缓,涨幅呈现收敛。存储器业界认为,3月市场价格仍将延续上涨行情,DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。 (Dgitimes)
03月04日 09:38 来自 Dgitimes7.23W+
《科创板日报》4日讯,存储器产业走过寒冬谷底,随着生成式AI带动高带宽存储器(HBM)及DDR5需求暴增,存储器原厂集体减产动作将进入尾声。供应链指出,由于新制程升级带来产出单位面积减损及HBM需求上修,原厂产能利用率重回九成。 (台湾电子时报)
03月04日 09:23 来自 台湾电子时报7.98W+
①Groq公司宣布其新一代LPU对大语言模型推理进行优化效果显著,包括炬芯科技、恒烁股份、成都华微等在内的多家科创板公司,均声称业务与SRAM储存器有关联或关注相关技术;
②受访的业内人士称,短期来看SRAM相关产品,对当前算力技术和产业难以形成颠覆。
02月21日 20:56 来自 科创板日报记者 郭辉1.44W+
《科创板日报》21日讯,根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)的数据,全球半导体市场在2023年第四季度环比增长了8.4%,这一强劲的增长主要受到了存储器的推动。三星的存储业务增长了49%,SK海力士增长了24.1%,美光科技增长了17.9%。这三家公司以美元计算的加权平均营收增长率为33%。
02月21日 12:14 8.09W+
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