《科创板日报》26日讯，DRAM芯片制造商南亚科董事长吴嘉昭今日表示，公司今年将投入更多研发资源，加速开发10纳米级制程技术与新一代DDR5产品。预计完成前导产品8Gb DDR4客户验证，并小量产，同步降低30纳米产品的投片及准备下一代DDR5的产品。