很抱歉,当前没有启用javascript,网站无法正常访问。请开启以便继续访问。自旋电子器件制造工艺获新突破
2023年03月24日 07:44:48
【自旋电子器件制造工艺获新突破】财联社3月24日电,美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院(NIST)的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺,该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件,新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备,并且使这些设备比以往更小。研究论文发表在最近的《先进功能材料》上。
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