《科创板日报》14日讯，三星电子正在开发低延迟宽IO（LLW）DRAM，目标是在明年底实现量产。LLW 是一种特殊类型的 DRAM，与传统移动产品 LPDDR 相比，它通过扩展输入/输出 (I/O) 路径（信息进入和退出的通道）来增加带宽。由于带宽与传输速度成正比，因此这种类型的DRAM在处理设备实时生成的数据时效率显著提高。 （Businesskorea）