《科创板日报》6月21日讯 抢了一年多的HBM产能,还是“缺”字当头。
不说2024年,存储原厂连2025年的HBM产能也已被预订一空,订单能见度甚至直达2026年一季度。
摆在供应商面前的有两条路:扩产和技术提升——这两条路由不得他们选择走哪一条,想在这场竞争里活下去、赢下去,就要“两条腿走两条路”。
于是之前稍微落后的美光出手了:全球扩产。
6月19日有消息称,美光正在美国建设HBM测试产线与量产线,并首次考虑在马来西亚生产HBM。公司目标是在2025年将HBM市占率提高两倍以上,达到20%左右。之前公司还计划在日本广岛新建DRAM厂,预计2026年初动工、最快2027年底完工。
满打满算,现在距离美光的“2025年”最多也只有一年半,留给美光的时间实在不多了。
美光的HBM3e今年才正式加入战场,短期内良率仅有SK海力士的一半左右;而其HBM单月产能约3000片——据台湾电子时报本周数据,美光与SK海力士合计每月向英伟达供应6万多片HBM,那么美光靠着这3000片产能,供应比重仅有SK海力士的大约1/19。
SK海力士在这场HBM竞逐中,至今仍保持着领先身位,但也已走上了大幅扩产的路。
同样也是本周,有消息称SK海力士正在大幅扩产第5代1b DRAM,以应对HBM与DDR5 DRAM的需求增加。按照晶圆投入量看,公司计划将1b DRAM月产能从今年一季度的1万片增加到年末的9万片,到明年上半年进一步提升至14万-15万片,是今年一季度产能的14-15倍。
至于全球存储三巨头中剩下的三星,HBM3打入英伟达供应链之后,HBM3e供应却颇为坎坷,受限于散热、功耗等方面,产品至今仍未敲开英伟达大门。这家韩国公司3月底曾表示,预计今年HBM产能将增至去年的2.9倍。
▌技术竞赛
HBM是AI芯片中占比最高的部分。根据外媒拆解,英伟达H100成本接近3000美元,其中占比最高的便是SK海力士的HBM,凭借2000美元左右的成本直接超过制造和封装。
不久前黄仁勋宣布,将英伟达的AI芯片更新周期从两年压缩至一年,换言之,每年一更新。这一策略不仅意味着客户需要适应这样迅速的迭代,也敦促着供应商提高技术演进的速度。
SK海力士近日已开始将混合键合应用于3D DRAM的量产。TSV+堆叠键合工艺为当前HBM理想方案;但随着堆叠层数增加,散热要求增加,混合键合有望成为下一代HBM4方案。
除了SK海力士之外,三星电子先进封装团队也已完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证,未来16层堆叠混合键和技术将用于HBM4内存量产。
▌国产供应链提速追赶
美光在补产能的课,三星在补技术验证的课,而我国HBM也已开启提速追赶之路。
台湾电子时报6月20日已援引业内人士消息称,IC设备和材料供应商已经看到中国企业对HBM等产品的需求强劲。
HBM产业链持续配套升级的同时,势必带来新需求,其中一个关键就是设备环节。
以前文提到的SK海力士扩产1b DRAM为例,公司已下达设备订单,“主要是薄膜沉积、刻蚀、光刻等核心设备。”还有业内人士指出,“设备订单数量的增长已经超出了我们最初的预期。”
而目前来看,打入HBM产业链的大陆企业中,有材料公司、封测公司、设备厂,也有代销商。
其中,长电科技、通富微电和盛合晶微等封装厂商已经拥有支持HBM生产的技术(如TSV硅通孔);国芯科技则表示,正和上下游合作厂家积极开展包括HBM技术在内的高端芯片封装合作;紫光国微的HBM产品还在研发阶段;兴森科技的FCBGA封装基板可用于HBM存储封装,但尚未进入海外HBM龙头产业链。
华金证券6月3日研报也建议关注HBM产业链相关标的,包括1)封测环节:通富微电(先进封装)、长电科技(先进封装)等;2)设备环节:拓荆科技(PECVD+ALD+键合设备)、华海清科(减薄+CMP)、华卓精科(拟上市,键合设备)、芯源微(临时键合与解键合)等;3)材料环节:华海诚科(环氧塑封料)、天承科技(RDL+TSV电镀添加剂)、艾森股份(先进封装电镀)等。
回望11年前,SK海力士就已首次制造出HBM,两年后迎来第一位客户AMD。但在此之后,HBM因价格高昂,再鲜见客户买账,沉寂多年以致一度被看作是“点错了科技树”。
如今,英伟达一片GPU终于为HBM“正名”,整个行业都在追赶HBM的进度。毕竟,在AI硬件军备赛中,时间就是生命,落后意味着淘汰。