《科创板日报》9月4日讯（记者 吴旭光） 今日（9月4日），第十三届半导体设备与核心部件及材料展（简称：CSEAC 2025）在无锡举行。作为CSEAC展会的重要组成部分，2025半导体制造与材料董事长论坛备受瞩目，该论坛由上海报业集团旗下财联社、《科创板日报》以及CSEAC展会主办方共同联合主办。

在“2025半导体制造与半导体专用材料董事长论坛”上，中国电子材料行业协会半导体材料分会秘书长林健围绕半导体材料技术突破、产业链协同及全球化布局等核心议题进行了话题分享。

在致辞环节，林健明确提出，应把第三代及超宽禁带半导体材料为核心抓手，加快关键领域自主可控进程，为我国半导体产业高质量发展注入强劲动力。

产业现状：结构升级态势显著 宽禁带材料成增长新引擎

半导体产业在现代经济和科技发展中占据着举足轻重的地位，它支撑着整个信息社会的运行。

半导体材料是半导体产业的基石，是推动现代科技革命和产业升级的核心驱动力，更是国家科技自主可控的战略高地。

近期，我国半导体材料实现了快速发展。在半导体硅材料领域，尽管全球硅材料出货面积同比下滑，但在国内去年出货面积逆势增长22.5%，达35.64亿平方英寸，销售额稳定在123亿元。此外，宽禁带半导体等领域同样捷报频传。

2024年，国内砷化镓材料市场规模约3.5亿元，全球占比提升至15%；磷化铟材料虽规模实现全球3%的市场份额突破。在碳化硅衬底领域，国内出货量达128.8万片，同比增长44.1%，全球出货量占比超43%，产业规模效应初步显现。

值得关注的是，继山东天岳先进、山西烁科率先突破12英寸碳化硅单晶拉制技术后，目前国内已有六家单位成功掌握该技术，标志着我国在宽禁带材料高端领域逐步缩小与国际差距。

技术突破：从宽禁带到超宽禁带 多项成果达国际先进水平

聚焦半导体材料技术前沿进展，林健认为，我国已在第三代及超宽禁带半导体材料领域实现多点突破。

在氮化镓（GaN）领域，苏州纳维团队在国内成功研制出6英寸氮化镓体单晶材料，其2英寸衬底的位错密度指标达到世界领先水平，为高性能氮化镓器件产业化奠定基础；氧化镓（Ga₂O₃）技术突破更具里程碑意义。

据悉，中国电科46所于2023年2月率先拉制出6英寸氧化镓单晶后，2025年3月浙大镓仁团队采用铸造法成功制备出全球首颗8英寸氧化镓单晶，大幅提升我国在超宽禁带材料领域的话语权。

此外，电科46所与奥趋光电分别实现4英寸、3英寸氮化铝（AlN）单晶材料突破；西安交大王宏兴团队则完成2英寸异质结外延单晶金刚石材料的商业化生产，填补了我国在超宽禁带半导体材料商业化应用领域的部分空白。

这些技术成果的落地，标志着我国半导体材料正从“跟跑”向“并跑”甚至“领跑”转变。

趋势与挑战：材料驱动产业变革 多重瓶颈亟待突破

展望半导体新材料未来发展，与会专家纷纷表示，全球半导体产业已进入“材料创新驱动发展”的新阶段。

据市场三方数据统计，预计2025年全球半导体市场规模将突破7000亿美元，同比增长13%以上；半导体材料市场规模达747亿美元，增速16.8%。其中，碳化硅材料市场规模将达20亿美元，同比增幅20%，成为增速最快的细分领域之一。

展望未来，业界一致认为，未来5-10年，随着材料创新与产业链协同深化，半导体新材料将引领新一轮科技革命，推动社会向智能化、绿色化转型。

同时，在半导体材料产业加速发展的进程中，一系列深层次的挑战仍有待突破。

林健对此表示，在高端材料领域，我国与国际先进水平仍有差距，ArF/DUV/EUV光刻气、高端前驱体、先进湿电子化学品等关键材料依赖进口；资金投入不足与高端人才短缺问题突出，制约产业创新速度；国际贸易摩擦与技术封锁加剧，给供应链稳定带来不确定性。

在此背景下，国内企业需积极应对、寻求突破。

协同破局：多举措并举凝聚合力 协会搭建产业服务桥梁

针对产业痛点，林健呼吁并提出五方面发展路径：一是加大研发投入，构建“材料—装备—工艺—软件”一体化攻关体系，深化产学研协同；二是完善人才培养与引进机制，建立“基础研究—工程化—量产运营”全链条人才梯队；三是强化产业链协同，推动晶圆厂与材料企业联合开展工艺验证，加速材料国产化替代；四是推进标准化与国际化，以标准制定提升行业话语权，助力企业拓展海外市场；五是构建多源供应链，降低关键材料单点依赖风险。

作为半导体材料产业发展中的桥梁和纽带，中国电子材料协会在产业协同中发挥着关键作用。

林健进一步表示，中国电子材料协会通过组织行业交流、发布产业报告、参与政策制定等方式，为企业搭建信息共享与合作平台；同时推动半导体材料国产化替代，鼓励企业与科研机构联合攻克技术难题，为产业发展营造良好环境。

展望未来，随着全球半导体产业加速向“材料驱动”转型，我国半导体材料产业迎来战略机遇期。