《科创板日报》31日讯，三星电子的晶圆代工业务已定下2030年前完成1nm级先进制程工艺SF1.0开发并转移至量产阶段的目标。SF1.0将采用forksheet叉片晶体管器件结构，这是现有nanosheet GAA全环绕栅极晶体管的演化。其在标准GAA的基础上新增介质壁，可进一步提升晶体管密度与性能。此外，三星电子计划2027年实现 SF2P+工艺的商业化投产，特斯拉的AI6芯片则将用SF2T工艺于2027年量产。 （韩国经济日报）