《科创板日报》6月22日讯（编辑 宋子乔）近日，闪迪披露的一项专利显示，其正探索一个新的3D堆叠方案，将NAND闪存集成到芯片内部，以缓解当前HBM供应紧张、容量受限及延迟等问题。

其核心思路是，基于CBA技术，直接在主计算芯片下方集成NAND存储单元，该计算芯片可以是GPU或AI处理器，同时在同一中介层上继续配置HBM堆栈，让HBM与NAND二者分工协作——HBM负责需要即时响应的数据处理，NAND则承担读写操作，以及大模型、海量数据集存储任务。

这种方案试图结合HBM的高带宽与NAND的大容量、低成本优势，并通过近距离宽通道互联，改善数据传输效率，同时降低成本和功耗压力。

闪迪是全球老牌闪存龙头，业务覆盖消费存储卡、企业SSD与AI数据中心存储，长期深耕NAND闪存技术研发。

当前AI训练高度依赖HBM高速内存，但HBM产能紧缺、单价高昂，单堆栈容量仅32-64GB，且只能集成在GPU侧边，数据传输存在延迟。闪迪主营的NAND闪存单位存储成本更低、单盘容量更大，却因距离计算芯片过远，数据传输速度更慢，无法直接承接海量AI数据读写。

为此，闪迪正积极探索新方案，先是推出HBF高带宽闪存方案，模仿HBM垂直堆叠思路，依靠TSV硅通孔多层互联，将多个NAND层垂直堆叠，HBF单堆容量最高可达4TB，明显高于当前HBM水平。

本次新专利更进一步，HBM内存在此架构中仍承担关键角色，但功能定位发生根本性转变。其不再作为主要存储介质，而是专注于处理实时性要求极高的指令缓存与权重参数，HBM的利用率有望进一步提升。

不过，该方案目前仅停留在专利阶段，封装复杂度、散热功耗、量产成本都是待攻克难题，商业化面临多重挑战。

该方案的关键在于CBA堆叠工艺。CBA全称CMOS directly Bonded to Array（控制电路直接键合存储阵列），是闪迪和铠侠联合研发的新一代3D闪存堆叠技术，其优势在于，存储与控制晶圆分开制作，互不干扰，闪存堆叠层数、读写性能大幅提升，但对晶圆纳米级贴合精度要求极高，设备与双片硅片将大幅拉高制造成本，量产良率管控难度大。

另外，成本问题同样严峻，初步估算采用该架构的AI加速器单价将上涨40%，这可能限制其在消费级市场的推广。散热设计也需要重新构建，垂直堆叠结构无疑会增加热点密度。