
①SK海力士二季度营收79.32万亿韩元同比增257%,营业利润60.54万亿韩元同比增557%,均低于分析师预期; ②SK海力士ADR美股盘后一度跌超5%,但随后又快速修复。 ③SK海力士已与约10家客户签署差异化定价长期供货协议,预计全年资本支出达40万亿韩元区间高段。
财联社7月29日讯(编辑 刘蕊)本周三早间,韩国存储巨头SK海力士公布了第二季度财报。
财报显示,该公司季度利润再创记录新高,但未达到分析师的预期。财报发布后,SK海力士ADR美股盘后一度跌超5%,但随后又快速修复。截至发稿,SK海力士ADR美股盘后涨1.41%。
以下是SK海力士第二季度(截至6月)业绩与LSEG SmartEstimates的对比:
营收:79.32万亿韩元(约合543亿美元),同比增长257%,环比增长51%,但低于预期的84万亿韩元
营业利润:60.54万亿韩元(约合420亿美元),同比大幅增长近557%,环比增长61%,低于预期的64万亿韩元
得益于一次性投资收益,该公司净利润飙升1242%,增幅超过市场预期。

SK海力士表示,已与约10家客户签署长期芯片供货协议(LTA)。长期供货协议设置差异化定价机制,根据客户类型、芯片产品特性区分定价,平抑存储价格周期性剧烈波动;长期供货协议将显著提升企业中长期订单、需求端的确定性。
该公司还预计,2026全年资本支出将达到40万亿韩元区间高段(约48~50万亿韩元)。公司正在推进韩国忠清北道清州市新建的半导体工厂M15X大规模生产,并于2027年初加速韩国京畿道龙仁市Fab1工厂产能扩张。
SK海力士二季度DRAM芯片平均销售价格(ASP)环比一季度上涨约30%。二季度NAND闪存平均销售价格环比一季度涨约50%~55%。
SK海力士预计,今年第三季度DRAM出货量环比二季度提升约10%;预计2026年三季度NAND闪存出货量环比二季度小幅上涨,涨幅为低个位数(1%~4%)
SK海力士还在财报中披露,HBM4已于第二季度量产出货,并将于下半年扩大生产。HBM4E样品上半年已交付,其采用了兼具技术成熟度与量产稳定性的最优制程工艺。
公司历史上首次实现上半年累计营收突破100万亿韩元,凸显出强劲的人工智能市场需求。
该公司表示,由于人工智能基础设施投资持续扩大,需求稳步增长,而面向AI服务器的高性能产品推动了价格上涨,创下新高。