《科创板日报》21日讯，近日，3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。