【天津大学首获具有带隙可调控二维锗硅烷】《科创板日报》25日讯，天津大学封伟教授团队采用-H/-OH封端二元锗硅烯，首次获得了具有带隙可调控的二维层状锗硅烷。据了解，二维锗硅烷兼具可调控能带结构、宽光谱（从紫外区到可见光区）响应和优异的光催化性能，是未来制备纳米光电器件的理想材料之一。该研究首次实现了掺杂精确调控锗硅类IVA族二维原子晶体半导体的能带结构，为未来新型半导体二维原子晶体材料的合成、设计、电子结构调控以及光电性能提升提供重要的材料基础和技术支撑。（集微网）