很抱歉,当前没有启用javascript,网站无法正常访问。请开启以便继续访问。天津大学首获具有带隙可调控二维锗硅烷
2020年03月25 18:28:32
【天津大学首获具有带隙可调控二维锗硅烷】《科创板日报》25日讯,天津大学封伟教授团队采用-H/-OH封端二元锗硅烯,首次获得了具有带隙可调控的二维层状锗硅烷。据了解,二维锗硅烷兼具可调控能带结构、宽光谱(从紫外区到可见光区)响应和优异的光催化性能,是未来制备纳米光电器件的理想材料之一。该研究首次实现了掺杂精确调控锗硅类IVA族二维原子晶体半导体的能带结构,为未来新型半导体二维原子晶体材料的合成、设计、电子结构调控以及光电性能提升提供重要的材料基础和技术支撑。(集微网)
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