很抱歉,当前没有启用javascript,网站无法正常访问。请开启以便继续访问。三星计划量产3纳米GAA尖端芯片 SK海力士推进EUV DRAM生产时程
2020年09月18 13:39:49
【三星计划量产3纳米GAA尖端芯片 SK海力士推进EUV DRAM生产时程】《科创板日报》18日讯,据etnews报道,三星电子和SK海力士宣布了各自关于下一代半导体技术的发展战略。其中,三星电子计划量产业界首批采用3纳米环绕式栈极(gate-all-around,简称GAA)工艺制造的尖端芯片;SK海力士则正准备生产基于极紫外光刻 (EUV)技术的DRAM。三星电子表示,该公司计划通过IBM和英伟达的下一代CPU和GPU的订单,在全球代工市场上利用GAA技术开拓下一代产品市场。
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