【三星计划量产3纳米GAA尖端芯片 SK海力士推进EUV DRAM生产时程】《科创板日报》18日讯，据etnews报道，三星电子和SK海力士宣布了各自关于下一代半导体技术的发展战略。其中，三星电子计划量产业界首批采用3纳米环绕式栈极（gate-all-around，简称GAA）工艺制造的尖端芯片；SK海力士则正准备生产基于极紫外光刻 (EUV)技术的DRAM。三星电子表示，该公司计划通过IBM和英伟达的下一代CPU和GPU的订单，在全球代工市场上利用GAA技术开拓下一代产品市场。