【SK海力士加速高数值孔径DRAM开发 定于2024年试生产】《科创板日报》30日讯，SK海力士在高带宽存储器（HBM）和300层NAND闪存芯片的生产技术上取得突破后，正在加速开发采用高NA（数值孔径）制造工艺的下一代DRAM，定于2024年试生产。 (台湾电子时报)