《科创板日报》（上海，研究员 何律衡）讯，2月17日，氮化镓概念延续上一交易日势头全线飘红，截至发稿，海特高新、海陆重工一字涨停。

上周四（13日），小米10正式发布，并推出配套产品——采用氮化镓（GaN）技术的充电器Type-C 65W。受该消息影响，次日氮化镓相关概念股大涨，其中三安光电上开盘大涨超6%，天邑股份涨停。

据了解，氮化镓充电器具备功率大、体积小、效率高的特点。此次小米发布的65WGaN充电器，体积比常规充电器小50%，且具备多档位充电功率自动调节，智能兼容市面上主流笔电和手机产品，即使是为iPhone11充电，充电速度也比iPhone原装充电速度快50%。

作为第三代半导体材料，氮化镓凭借其本身高频低阻、高导热、耐高温、小体积等优势，广泛应用在高频率、大功率场景下的军工、航空航天领域。而除了手机专用充电产品外，电动车的车载OBC与宽带也同样是其大展拳脚的领域。

华西证券认为，受到消费者广泛关注的氮化镓充电器将在后续手机品牌发布会上继续登台亮相，伴随着氮化镓在消费电子行业中的普及，氮化镓芯片的设计、制造成本将快速下降，进一步刺激市场应用普及。参考Yole的数据，预计到2024年氮化镓功率市场的规模将达到7.5亿美元，2018-2024年的CAGR高达92%。

除了氮化镓 家族还有这一成员频刷存在感

事实上，在此次大获市场关注之前，氮化镓更常与碳化硅等第三代半导体材料共同出现。而自去年以来，碳化硅就已吸引了一波资本投入，其中又以国内电信巨头华为的动作最为引人瞩目。

2019年8月，华为通过哈勃投资入股山东天岳，并获10%股份。山东天岳核心产品为第三代半导体材料碳化硅。据公司官网介绍，碳化硅被称为是第三代半导体的核心材料，具有耐高压、耐高频等突出特点。此次投资或表明华为对于第三代半导体材料前景的认可。

2019年9月，中科钢研碳化硅项目总部基地落户上海，赋能第三代半导体材料，力争用3到5年时间，将与其战略合作伙伴联合创设的国宏中宇，建设成以上海总部基地为核心，以碳化硅半导体材料为代表，聚集第三代半导体材料及其应用技术与产品的高新技术企业集团。

2019年12月，浙江省首个第三代半导体材料项目落户宁波，华大半导体完成宽禁带半导体材料项目签约，总投资10.5亿元，计划年产8万片4-6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片，产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。

相关项目落地的同时，利好政策也不断推出。

再今年年初的中国电动汽车百人会第六届年度论坛上，全国政协副主席、中国科学技术协会主席万钢在论坛上强调，面向未来，要加快新一代的驱动控制技术升级，特别是高密度的IGBT和碳化硅器件方面是今后升级发展的方向。

就在小米10正式发布的当天，广东省印发《广东省加快半导体及集成电路产业发展的若干意见》，提出大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等第三代半导体材料，积极发展电子级多晶硅及硅片制造，加快氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产。

超强性能引各国研究 碳化硅国内产业布局进行时

资料显示，与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

其中，碳化硅（SiC）目前发展最成熟，也最接近大规模商业化。与氮化镓相似，碳化硅作为制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，正广泛应用于电力电子领域中，成为实现新能源汽车最佳性能的理想选择，其在新能源车上的应用主要是功率控制单元、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等。

此外，半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域同样广泛应用了碳化硅材料，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

目前，世界各国对碳化硅的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。

我国也早已开始对第三代半导体技术领域的研究进行部署，启动了一系列重大研究项目。公司方面，也有多家企业涉及相关业务。

扬杰科技：目前在外进行碳化硅芯片流片，可批量供应650V、1200V碳化硅JBS器件，并在积极研发碳化硅MOSFET器件。

露笑科技：公司去年11月与中科钢研、国宏中宇签署碳化硅项目战略合作协议，将为国宏中宇主导的碳化硅产业化项目定制约200台碳化硅长晶炉，设备总采购金额约3亿元。

楚江新材：全资子公司顶立科技从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求。