第三代半导体
话题简介
第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
《科创板日报》1日讯，《科创板日报》记者获悉，三安光电与国外头部AR终端厂商、国内光学元件代工厂等重点客户紧密合作，目前已向多家客户送样验证，产品持续迭代。据了解，碳化硅折射率约为2.7，优于传统玻璃等材料，且具备耐高温跟散热优势。据三安光电相关人士表示，一片6英寸碳化硅衬底能够制作2副AR眼镜、8英寸衬底则对应3-4副，从预估的2024年全年出货量150万台来计算，折算成6英寸衬底约对应75万片/年的需求，市场规模为10.8亿元。（记者 郭辉）
03月01日 16:26 阅 6.63W+
《科创板日报》27日讯，今日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。据介绍，预计该项目将在2025年四季度实现批量生产，项目规划全面达产后将年产约48万片的8英寸碳化硅晶圆。在重庆高新区西永微电子产业园内，三安光电还同期配套一条年产48万片的8英寸碳化硅衬底生产线，用于安意法碳化硅晶圆厂生产供应，已于2024年9月通线投产。以上两大项目合计投资达300亿元。三安光电总经理、安意法董事长林科闯在通线仪式上表示，安意法半导体碳化硅晶圆厂用时仅16个月就正式通线，是双方携手并进、强强联合的共同成果，安意法未来和发展非常值得期待。（记者 郭辉）
02月27日 16:05 阅 5.15W+
财联社2月20日电，据杭州光学精密机械研究所消息，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。测试结果表明，使用富加镓业设备生长出的4英寸VB晶体内无孪晶，单晶衬底XRD半高全宽（FWHM）优于50arcsec，与导模法制备的氧化镓单晶衬底质量相当，性能达到国际先进水平；衬底表面粗糙度（Ra）小于0.2nm，弯曲度（Bow）达到1.8μm，翘曲度（warp）达到9.3μm，总厚度偏差（TTV）<10.0μm，相关加工指标达到4英寸碳化硅衬底产品要求。VB法装备的成功研制，标志着公司在技术创新上取得了重大突破，是公司于2024年5月在国际上率先突破导模法“一键长晶”技术后又一里程碑事件。资料显示，富加镓业为衢州发展(600208)参股的高科技投资企业。
02月20日 10:58 阅 5.44W+
财联社2月2日电，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其独特优势可满足空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天技术发展具有重要战略意义。
业内专家认为，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为未来我国在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。 (新华社)
业内专家认为，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为未来我国在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。 (新华社)
02月02日 22:08 来自 新华社阅 7.39W+
《科创板日报》22日讯，中国科学院微电子研究所宣布，该院刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅 (SiC) 功率器件及其电源系统，已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。
01月22日 09:17 阅 5.38W+
财联社12月31日电，TechInsights发布报告，碳化硅（SiC）正以其高效率、紧凑的设计和更低的成本改变着功率半导体行业。除了数据中心外，SiC在电动汽车充电器、光伏、储能和工业应用等领域扩展。汽车行业是主要驱动力，预计到2025年，汽车SiC市场规模将达到20亿美元以上。为满足日益增长的需求，行业正在转向200毫米晶圆，这将提高产能并降低成本，推动更广泛的采用和行业竞争。
12月31日 14:47 阅 5.89W+
财联社12月1日电，据宁夏银川市发改委消息，银川市目前已谋划储备1142个2025年重大项目，预计总投资3968亿元，年度计划投资1090亿元。其中，社会投资占比75%以上，装备制造、新材料、清洁能源等产业项目投资占比45%，亿元以上项目投资占比80%以上，创盛碳化硅等236个项目被列入宁夏重大项目库。
12月01日 21:12 阅 5.43W+
《科创板日报》26日讯，据芯联集成官方公众号，蔚来旗下全新品牌乐道首款车型乐道L60近日上市，芯联集成为乐道L60供应碳化硅模块。
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11月26日 10:22 阅 5.29W+
财联社11月21日电，商务部印发《支持苏州工业园区深化开放创新综合试验的若干措施》。其中提到，布局建设重大创新平台。加强重大科技基础设施和国家实验室统筹协同，打造以国家实验室为引领、全国重点实验室和江苏省重点实验室为支撑、苏州市重点实验室为基础的实验室创新体系，推进实验室管理体制和运营机制创新。推动苏州实验室、国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）等先进技术平台高质量发展。高标准规划建设桑田科学岛。支持苏州工业园区建设一批海外离岸创新中心。
11月21日 10:43 阅 5.23W+
财联社10月16日电，天眼查App显示，广东芯粤能半导体有限公司近日发生工商变更，新增国投（广东）科技成果转化创业投资基金合伙企业（有限合伙）、广东省半导体及集成电路产业股权投资基金二期合伙企业（有限合伙）、深圳市创新资本投资有限公司等为股东，同时公司注册资本由4亿人民币增至约4.55亿人民币。广东芯粤能半导体有限公司成立于2021年5月， 法定代表人为徐伟，现由广东芯聚能半导体有限公司、威睿电动汽车技术（宁波）有限公司及上述新增股东等共同出资。此前据媒体报道，该公司完成约十亿元人民币A轮融资。本轮融资由粤财基金管理的广东省集成电路基金二期与国投创业基金联合领投，社保湾区科创基金、深创投、广州产投、科金控股集团、大众聚鼎、博原资本、复朴投资与曦晨资本联合参与。本次融资募集的资金将加快公司在碳化硅芯片制造领域的产能建设。
10月16日 15:04 阅 7.52W+
财联社9月23日电，美国和印度达成一项协议，将共同在印度建立一家芯片制造厂，以强化印度总理纳伦德拉·莫迪加强该国制造业的努力。这家计划中的工厂将生产红外、氮化镓和碳化硅芯片。
09月23日 18:14 阅 6.88W+
《科创板日报》23日讯，晶升股份在接受调研时表示，碳化硅切割设备进展顺利，目前正在两家客户现场进行多轮工艺测试，近几轮测试结果显示设备的主要技术指标与进口同类型产品指标接近，后续公司将在持续优化的同时，验证产品长期运行量产的可靠性和稳定性。碳化硅8英寸单片外延设备也已发往客户现场进行测试，另一款多片外延设备在内部完成了组装热试工作，内部调试结束后也会尽快与合作伙伴开始工艺验证。
晶升股份+0.22%
08月23日 15:58 阅 7.85W+
财联社8月19日电，据万业企业消息，近日，万业企业与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）举行《协同创新发展全面战略合作协议》签署仪式。双方将瞄准第三代半导体产业应用需求，围绕先进半导体设备和工艺关键技术，共同培育和承担各类重大项目，开启推动第三代半导体产业自主可控发展“芯”征程之钥。
万业企业-0.14%
08月19日 08:28 阅 6.31W+
《科创板日报》8日讯，工业材料供应商Entegris表示，已与芯片制造商安森美半导体达成长期供应协议，提供制造碳化硅（SiC）半导体的技术解决方案。据此前消息，安森美计划在今年晚些时候对200mm（8英寸）碳化硅（SiC）晶圆进行认证，并于2025年投入生产。
08月08日 09:16 阅 7.11W+
《科创板日报》23日讯，安森美官微宣布，该公司已与大众汽车集团签署一项多年协议，成为其可扩展系统平台（SSP）下一代主驱逆变器的主要供应商，提供完整的电源箱解决方案。该解决方案在集成模块中采用了基于碳化硅的技术，可扩展至所有功率级别，从大功率到小功率主驱逆变器，兼容所有车辆类别。
07月23日 10:56 阅 7.05W+
《科创板日报》26日讯，日本中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制造碳化硅基板的技术。该技术更容易增大基板尺寸以及提高品质，可使基板的制造成本降低1成以上，不合格率也会大幅降低。中央硝子运用该技术成功量产出了6英寸口径基板。 (日经)
06月26日 09:42 来自 日经阅 6.86W+
财联社6月4日电，意法半导体与吉利汽车集团宣布，双方已签署了一份长期碳化硅（SiC）供应协议，以加速双方在SiC器件方面的现有合作。此外，基于双方在多个汽车应用领域的长期合作，吉利和意法半导体建立了一个联合实验室，用来交流信息并探索与汽车电子/电气架构、高级驾驶辅助（ADAS）等相关的创新解决方案。
06月04日 14:28 阅 7.52W+
