第三代半导体
话题简介
第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
财联社4月18日电，记者从电子科技大学信息与量子实验室获悉，近日，该实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这也是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，相关成果发表在《物理评论快报》上。 (科技日报)
04月18日 16:21 来自 科技日报阅 7.09W+
财联社4月9日电，智己汽车发布致歉函称，在刚刚结束的「超越一切向往」智己L6超级智能轿车发布会过程中，对标近期同级流量热议的小米SU7产品力介绍过程中，由于团队内容审核疏漏，造成一处关键参数的错误标注，澄清如下：小米SU7 Max版前后电机均采用SIC碳化硅模块，与智己L6所采用的技术一致，均为行业顶尖的技术标准。小米汽车及旗下产品SU7，是我们尊敬的竞争队友！由于内审出现疏漏，造成对小米汽车的负面影响，我们深表歉意，也向所有粉丝、用户们诚挚致歉！
04月09日 01:03 阅 6.97W+
《科创板日报》5日讯，德州仪器正在将GaN（氮化镓）生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示，公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为GaN半导体产线。
03月05日 17:27 阅 7.11W+
财联社3月1日电，科创板公司芯联集成宣布与理想汽车正式签署战略合作框架协议，双方将在碳化硅领域展开全面战略合作。按照相关协议签署，芯联集成和理想汽车将在碳化硅领域一起积极推动产品化进程，共同提升双方的市场竞争力。同时，双方也在积极讨论下一步将在模拟IC等领域展开深度合作。
芯联集成+0.65%
03月01日 20:21 阅 9.3W+
财联社2月1日电，2024年北京市政府工作报告重点任务清单发布，其中提到，加快推进集成电路重大项目，增强装备研发生产能力，在光电集成、芯粒技术等领域实现更大突破。深化拓展第三代半导体产业发展。
02月01日 19:29 阅 7.08W+
《科创板日报》1日讯，近日，华美新材完成超亿元产业轮融资，本轮由朝希资本领投，再石资本、金浦智能、中芯聚源、润璋创投等机构跟投。华美新材是一家反应烧结碳化硅制品制造商，主要生产高技术碳化硅陶瓷制品（主导产品反应烧结碳化硅、无压烧结碳化硅制品）。
02月01日 15:41 阅 6.91W+
《科创板日报》31日讯，深圳至信微电子今日宣布完成A+轮融资，本轮由深圳重大产业投资集团领投，以及老股东深圳高新投继续追加投资，以共同推动碳化硅功率器件领域的技术创新和市场拓展。
01月31日 13:04 阅 7.01W+
《科创板日报》15日讯，英飞凌已与碳化硅供应商SK Siltron CSS正式签署长约，根据该协议，SK Siltron将为英飞凌供应6英寸SiC晶圆；在后续阶段，SK Siltron将协助英飞凌向8英寸SiC晶圆直径过渡。
01月15日 19:49 阅 7.18W+
《科创板日报》12日讯，日本半导体设备大厂Disco开发出一款新型SiC（碳化硅）晶圆切割设备DFG8541，可加工最大尺寸为8英寸的硅和碳化硅晶圆，并将SiC晶圆的切割速度提升至原来的10倍。
01月12日 09:56 阅 9.14W+
《科创板日报》2日讯，近日，聚能创芯完成1.7亿元人民币A轮融资，由湖州中金启合股权投资合伙企业（有限合伙）、湖州市人才创新股权投资基金合伙企业（有限合伙）、资阳中金启阳产业发展基金合伙企业（有限合伙）、北京北工怀微传感科技股权投资基金（有限合伙）共同投资。本轮融资将为聚能创芯在产品研发、技术突破、市场开拓等方面提供有利支持。赛微电子将以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。
01月02日 14:23 阅 6.68W+
财联社12月28日电，在小米汽车技术发布会上，小米集团董事长雷军宣布，发布CTB一体化电池技术，全球最高体积效率达77.8%，采用小米800V碳化硅高压平台，最高电压达871V。雷军介绍，小米电池通过全球最严苛的热失效安全标准，采用17层高压绝缘防护，7.8m²同级最大冷却面积，并使用165片气凝胶隔热。同时，采用行业首创电芯倒置技术，最大程度保证乘员舱安全。雷军称，小米汽车立志做电动车冬季续航之王。
12月28日 14:32 阅 7.2W+
《科创板日报》28日讯，近日，清纯半导体宣布完成数亿元Pre-B轮融资，这是清纯半导体继今年4月份完成数亿元A+轮融资以来的又一融资进展。本轮融资由美团龙珠领投，老股东由复容投资领衔，包括蔚来资本、鸿富资产和泽森资本等持续加注。清纯半导体是一家碳化硅功率芯片研发商，公司聚焦于碳化硅(SiC)功率芯片，专业从事高端SiC功率器件的研发与产业化。
12月28日 13:31 阅 6.9W+
《科创板日报》22日讯，近日，至信微电子完成了数千万元A轮融资，本轮融资以国资和产业方为主，深智城产投、正景资本以及老股东前海扬子江基金、太和基金共同投资。至信微电子是一家第三代半导体功率器件研发商，是专注于第三代半导体功率器件研发的企业，主打产品为碳化硅MOSFETs系列产品，可以应用在光伏、新能源汽车、工业等领域。公司拥有领先的芯片设计研发及工艺水平，致力于打造国内领先的碳化硅MOSFETs芯片产品。
12月22日 11:11 阅 9.08W+
财联社12月22日电，意法半导体官微宣布，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。据介绍，理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术。
12月22日 08:16 阅 8.36W+
财联社12月21日电，罗姆株式会社和东芝电子元件及存储装置株式会社在功率器件的制造和增产方面的一项合作计划已得到日本经济产业省的认可。罗姆和东芝将分别对碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件进行增效投资，提升其供应能力，并以互补的方式利用对方的产能。
12月21日 19:07 阅 7.18W+
财联社12月15日电，中金公司研报指出，近期，随着多款搭载800V平台的车型发布，以及头部材料厂商扩产计划超预期，碳化硅产业链迎来频繁催化。我们认为，需求端新能源车+光伏上量与供给端良率突破或于2024年迎来共振，碳化硅有望迎接大规模放量；国内厂商产能规划亦积极，提升了设备国产化需求，建议关注价值量占比较高的衬底+外延设备。考虑到国产设备将率先应用于国内市场与设备前置投资，我们测算明年国内衬底+外延设备空间将增至90亿元。若后续技术趋于成熟、考虑设备出口，市场空间或还将更为广阔。
12月15日 07:43 阅 7.84W+
《科创板日报》12日讯，半导体切割设备制造商迪思科（DISCO）开发出了车用节能半导体的新型切割机，速度是过去的10倍。据悉，碳化硅（SiC）作为半导体材料的功率效率很高，但材质偏硬很难加工，新设备的研发将确立新一代功率半导体的量产技术，有望推动纯电动汽车的普及。目前，迪思科已开始面向部分客户供货，将在订单增加之后正式量产。
12月12日 15:10 阅 6.81W+
