很抱歉,当前没有启用javascript,网站无法正常访问。请开启以便继续访问。重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
2020年11月16日 09:40:23
【重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片】《科创板日报》16日讯,重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义介绍,目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片,主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面。电量能节省10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段,未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。 (重庆日报)
10.95W+特别声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。