财联社11月25日讯，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲24日在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计约为70亿元。其中，GaN微波射频产业产值2020年将达33.75亿元，比去年的26.15亿元将增长29%；SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达35.35亿元，比去年的29.03亿元将增长21.77%。 （第一财经）