【消息称ASML四代EUV光刻机迈进1nm 2025~2026年大规模应用】《科创板日报》19日讯，据外媒报道，ASML产品营销总监Mike Lercel日前透露EUV光刻机的最新进展，预计今年年底前，NXE：3600D将开始交付，30mJ/cm2下的晶圆通量是160片，比3400C提高了18%，预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。3600D之后，ASML规划的光刻机分别是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，其中从EXE：5000开始，数值孔径提高到0.55，预计将在2022年晚些时候发货，大规模应用在2025~2026年，或用于台积电2nm甚至1nm等工艺。